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- 1.制造霍尔元件的半导体材料中，目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟，其原因是这些（ ）。选项： A:半导体材料的霍尔常数比金属的大 B:半导体中电子迁移率比空穴高 C:半导体材料的电子迁移率比较大 D:N型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件
- 2.制造霍尔元件的半导体材料中,目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟,其原因是这些( )。 选项： A:半导体中电子迁移率比空穴高 B:半导体材料的霍尔常数比金属的大 C:半导体材料的电子迁移率比较大 D:N型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件
- 3.制造霍尔元件的半导体材料中,目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟,其原因是这些( )。 选项： A、半导体材料的霍尔常数比金属的大。 B、 半导体中电子迁移率比空穴多。 C、 半导体材料的电子迁移率比较大。 D、 N型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件。
- 4.制造霍尔元件的半导体材料中，目前应用较多的是锗、锑化铟、砷化铟，其原因是这些（ ）。 选项： A、半导体材料的霍尔常数比金属大 B、半导体中电子的迁移率比空穴高 C、半导体材料的电子迁移率比较大 D、N型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件
- 5.制造霍尔元件的半导体材料中，用的较多的有锗、锑化铟、砷化铟、其原因是这些 选项： A、半导体材料的霍尔常数比金属大 B、半导体材料电子迁移率比空穴高 C、半导体材料的电子迁移率比较大 D、N型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件
- 6.制造霍尔元件的半导体材料中，目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟，其原因是这些( )。 选项：A. 半导体材料的霍尔常数比金属的大B. 半导体中电子迁移率比空穴高C. 半导体材料的电子迁移率比较大D. N 型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件
- 7.制造霍尔元件的半导体材料中，使用较多的是锗、锑化铟、砷化铟，原因是 选项： A:半导体的霍尔常数比金属的大 B:半导体中电子迁移率比较大 C:半导体中电子的迁移率比空穴高 D:N型半导体材料较适宜做灵敏度高的霍尔元件
- 8.制造霍尔元件的半导体材料中,目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟,其原因是这些
- 9.单选题]制造霍尔元件的半导体材料中,目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟,其原因是这些( )。
- 10.下列材料中，不适宜制作霍尔元件的是选项： A:金属 B:锗型半导体 C:锑化铟型半导体 D:砷化铟型半导体
- 11.下列材料中，不适宜制作霍尔元件的是（ ）。 选项： A、锑化铟型半导体 B、锗型半导体 C、砷化铟型半导体 D、金属
- 12.金属材料自由电子浓度很高，输出电压较小，不易做霍尔元件。半导体材料较适合，一般情况下，由于电子迁移率大于空穴迁移率，因此霍尔元件多用N型半导体材料。? 正确错误
- 13.霍尔元件根据霍尔效应原理制成，一般采用( )等半导体单晶材料制作。选项： A:锗; B:硅; C:锑化铟; D: 砷化铟
- 14.为什么制备霍尔元件的材料通常是半导体而不是金属 选项： A、半导体的霍尔系数较小 B、半导体的霍尔系数较大 C、金属不会产生霍尔效应 D、半导体迁移率较小
- 15.下列材料中,不适宜制作霍尔元件的是A.N 型砷化铟B.N 型锑化铟C.N 型锗D.金属
- 16.霍尔传感器中的霍尔元件采用金属材料，而不采用半导体材料，是因为金属材料所产生的霍尔电势比半导体材料大
- 17.下列材料中，适宜作霍尔元件的有（）。 选项： A:A.金属 B:B.N型锗 C:C.N型锑化铟 D:D.N型砷化铟
- 18.一般电子的迁移率大于空穴的迁移率，因此制作霍尔元件时多采用N型半导体材料。 选项： A:正确 B:错误
- 19.612、下列材料中，适宜作霍尔元件的有（）。 选项： A:A.金属 B:B.N型锗 C:C.N型锑化铟 D:D.N型砷化铟
- 20.612、【多选题】下列材料中，适宜作霍尔元件的有（）。 选项： A:A.金属 B:B.N型锗 C:C.N型锑化铟 D:D.N型砷化铟
