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制造霍尔元件的半导体材料中,目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟,其原因是这些
发布时间:
2024-05-14 17:38:54
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制造霍尔元件的半导体材料中,目前应用较多的是锗、锑化铟、砷化铟,其原因是这些( ).
2.
制造霍尔元件的半导体材料中,目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟,其原因是这些( )。 选项: A、半导体材料的电阻率大 B、半导体中电子迁移率比空穴高 C、半导体材料的电子迁移率比较大 D、N型半导体材料教适宜制造灵敏度高的霍尔元件
3.
制造霍尔元件的半导体材料中,目前应用较多的是锗、锑化铟、砷化铟,其原因是这些( )。 选项: A、半导体材料的霍尔常数比金属大 B、半导体中电子的迁移率比空穴高 C、半导体材料的电子迁移率比较大 D、N型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件
4.
制造霍尔元件的半导体材料中,目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟,其原因是选项: A:N型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件; B:半导体材料的电子迁移率比较大 ; C:半导体中电子迁移率比空穴高; D:半导体材料的霍尔常数比金属的大
5.
制造霍尔元件的半导体材料中,用的较多的有锗、锑化铟、砷化铟、其原因是这些 选项: A、半导体材料的霍尔常数比金属大 B、半导体材料电子迁移率比空穴高 C、半导体材料的电子迁移率比较大 D、N型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件
6.
下列材料中,适宜作霍尔元件的有( ) 选项:A、金属 B、N型锗 C、N型锑化铟 D、N型砷化铟
7.
下列材料中,不适宜制作霍尔元件的是 选项:A、金属 B、N型锗 C、N型锑化铟 D、N型砷化铟
8.
下列材料中,不适宜制作霍尔元件的是( )。(20 分) 选项: A:金属 B:N型锗 C:N型锑化铟 D:N型砷化铟
9.
下列材料中,适宜作霍尔元件的有()。 选项: A:A.金属 B:B.N型锗 C:C.N型锑化铟 D:D.N型砷化铟
10.
612、下列材料中,适宜作霍尔元件的有()。 选项: A:A.金属 B:B.N型锗 C:C.N型锑化铟 D:D.N型砷化铟
11.
612、【多选题】下列材料中,适宜作霍尔元件的有()。 选项: A:A.金属 B:B.N型锗 C:C.N型锑化铟 D:D.N型砷化铟
12.
在P型半导体中掺入微量的()等元素后,半导体中就会产生许多缺少电子的空穴。 选项:A.铟、铝、锑、镓B.铟、铝、硼、镓C.铟、磷、锑、砷D.铟、锑、硼、镓
13.
最基本的半导体材料是()、砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)。
14.
18、用于制造半导体器件的半导体材料是( ) 选项: A:磷 B:锗 C:铟 D:铁
15.
用于制造半导体器件的半导体材料是( )。 选项: A:磷 B:硅 C:铟 D:锗
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