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612、下列材料中,适宜作霍尔元件的有()。
选项:
A:
A:金属
B:
B:N型锗
C:
C:N型锑化铟
D:
D:N型砷化铟
料中
元件
下列
发布时间:
2024-06-05 08:55:05
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1.
下列材料中,适宜作霍尔元件的有()。 选项: A:A.金属 B:B.N型锗 C:C.N型锑化铟 D:D.N型砷化铟
2.
下列材料中,不适宜制作霍尔元件的是( )。 选项: A:金属 B:N型锗 C:N型锑化铟 D:N型砷化铟
3.
霍尔元件的常用材料有() 选项: A、P型锗 B、 锑化铟 C、 砷化铟 D、 砷化镓
4.
制造霍尔元件的半导体材料中,目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟,其原因是这些
5.
制造霍尔元件的半导体材料中,目前应用较多的是锗、锑化铟、砷化铟,其原因是这些( ).
6.
制造霍尔元件的半导体材料中,目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟,其原因是这些()。
7.
制造霍尔元件的半导体材料中,使用较多的是锗、锑化铟、砷化铟,原因是 选项: A:半导体的霍尔常数比金属的大 B:半导体中电子迁移率比较大 C:半导体中电子的迁移率比空穴高 D:N型半导体材料较适宜做灵敏度高的霍尔元件
8.
制造霍尔元件的半导体材料中,目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟,其原因是这些( )。 选项: A、半导体材料的霍尔常数比金属的大。 B、 半导体中电子迁移率比空穴多。 C、 半导体材料的电子迁移率比较大。 D、 N型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件。
9.
制造霍尔元件的半导体材料中,目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟,其原因是这些( )。选项: A:半导体材料的霍尔常数比金属的大。 B:半导体中电子迁移率比空穴多。 C:半导体材料的电子迁移率比较大。 D:N型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件。
10.
制造霍尔元件的半导体材料中,目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟,其原因是这些( )。 选项: A:半导体中电子迁移率比空穴高 B:半导体材料的霍尔常数比金属的大 C:半导体材料的电子迁移率比较大 D:N型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件
11.
制造霍尔元件的半导体材料中,目前使用较多的是锗、锑化铟、砷化铟,其原因是( )选项: A:半导体材料的霍尔常数比金属的大 B:半导体中电子迁移率比空穴高 C:半导体材料的电子迁移率比较大 D:N型半导体材料比较适宜制造灵敏度比较高的霍尔元件。
12.
制造霍尔元件的半导体材料中,目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟,其原因是这些( )。选项: A:半导体材料的霍尔常数比金属的大; B:半导体中电子迁移率比空穴高; C:半导体材料的电子迁移率比较大; D:N型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件
13.
制造霍尔元件的半导体材料中,目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟,其原因是这些( )。 选项: A、半导体材料的电阻率大 B、半导体中电子迁移率比空穴高 C、半导体材料的电子迁移率比较大 D、N型半导体材料教适宜制造灵敏度高的霍尔元件
14.
制造霍尔元件的半导体材料中,目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟,其原因是这些( )。选项: A:半导体材料的电阻率大; B:半导体中电子迁移率比空穴高; C:半导体材料的电子迁移率比较大; D:N型半导体材料教适宜制造灵敏度高的霍尔元件
15.
在P型半导体中掺入微量的()等元素后,半导体中就会产生许多缺少电子的空穴。 选项:A.铟、铝、锑、镓B.铟、铝、硼、镓C.铟、磷、锑、砷D.铟、锑、硼、镓
16.
下列材料中,不适宜制作霍尔元件的是( )。 选项: A:金属 B:N型储 C:N型梯化细 D:N型确化咽
17.
应用于压电式传感器的压电材料主要有( ) 选项: A、石英晶体 B、锗 C、锑化铟 D、压电陶瓷
18.
在硅或锗的晶体中掺入少量的 3 价杂质元素,如硼、镓、铟等,可以构成 。( )选项: A:N型半导体 B:P型半导体
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