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霍尔传感器中的霍尔元件采用金属材料,而不采用半导体材料,是因为金属材料所产生的霍尔电势比半导体材料大
发布时间:
2024-06-21 20:50:58
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1.
金属材料不宜作霍尔元件,霍尔元件一般由半导体材料制成。( )
2.
金属材料的霍尔效应要比半导体材料的霍尔效应明显
3.
半导体材料与金属材料都具有霍尔效应,金属材料的霍尔效应更显著。选项: A:正确; B:错误
4.
下列关于霍尔元件的叙述,正确的有()。 选项: A:制作霍尔元件时多采用N型半导体材料 B:减小霍尔元件的厚度,可以提高其灵敏度 C:适当地选择霍尔片材料的迁移率及霍尔片的宽长比可改变霍尔电势值 D:金属可用于制作霍尔元件
5.
金属材料自由电子浓度很高,输出电压较小,不易做霍尔元件。半导体材料较适合,一般情况下,由于电子迁移率大于空穴迁移率,因此霍尔元件多用N型半导体材料
6.
下列关于霍尔元件的叙述,正确的有( )。 选项: A:制作霍尔元件时多采用N 型半导体材料 B:减小霍尔元件的厚度,可以提高其灵敏度 C:如果霍尔片两端的电压为E,那么适当地选择材料的迁移率及霍尔片的宽长比可改变霍尔电势值 D:金属可用于制作霍尔元件
7.
下列关于霍尔元件的描述,准确的有 选项: A:制作霍尔元件时多采用N型半导体材料 B:减小霍尔元件的厚度,可以提高其灵敏度 C:如果霍尔片两端的电压 D:那么适当地选择材料的迁移率及霍尔片的宽长比可改变霍尔电势值 E:金属可用于制作霍尔元件
8.
下列关于霍尔元件的叙述,正确的有( )。选项: A:制作霍尔元件时多采用N型半导体材料 B:减小霍尔元件的厚度,可以提高其灵敏度 C:如果霍尔片两端的电压为E,那么适当地选择材料的迁移率及霍尔片的宽长比可改变霍尔电势值 D:金属可用于制作霍尔元件
9.
下列关于霍尔元件的描述,准确的有 选项: A、制作霍尔元件时多采用N型半导体材料 B、减小霍尔元件的厚度,可以提高其灵敏度 C、如果霍尔片两端的电压为E,那么适当地选择材料的迁移率及霍尔片的宽长比可改变霍尔电势值 D、金属可用于制作霍尔元件
10.
制造霍尔元件的半导体材料中,目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟,其原因是选项: A:N型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件; B:半导体材料的电子迁移率比较大 ; C:半导体中电子迁移率比空穴高; D:半导体材料的霍尔常数比金属的大
11.
制造霍尔元件的半导体材料中,目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟,其原因是这些( )。选项: A:半导体材料的霍尔常数比金属的大; B:半导体中电子迁移率比空穴高; C:半导体材料的电子迁移率比较大; D:N型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件
12.
制造霍尔元件的半导体材料中,目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟,其原因是这些( )。选项: A:半导体材料的霍尔常数比金属的大 B:半导体中电子迁移率比空穴高 C:半导体材料的电子迁移率比较大 D:N型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件
13.
制造霍尔元件的半导体材料中,目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟,其原因是这些( )。 选项: A:半导体中电子迁移率比空穴高 B:半导体材料的霍尔常数比金属的大 C:半导体材料的电子迁移率比较大 D:N型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件
14.
制造霍尔元件的半导体材料中,目前应用较多的是锗、锑化铟、砷化铟,其原因是这些( ) 选项:A、半导体材料的霍尔常熟比金属大B、半导体中电子的迁移率比空穴高C、半导体材料的电子迁移率比较大D、N型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件
15.
制造霍尔元件的半导体材料中,目前使用较多的是锗、锑化铟、砷化铟,其原因是( )选项: A:半导体材料的霍尔常数比金属的大 B:半导体中电子迁移率比空穴高 C:半导体材料的电子迁移率比较大 D:N型半导体材料比较适宜制造灵敏度比较高的霍尔元件。
16.
制造霍尔元件的半导体材料中,目前应用较多的是锗、锑化铟、砷化铟,其原因是这些( )。 选项: A、半导体材料的霍尔常数比金属大 B、半导体中电子的迁移率比空穴高 C、半导体材料的电子迁移率比较大 D、N型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件
17.
金属材料自由电子浓度很高,输出电压较小,不易做霍尔元件。半导体材料较适合,一般情况下,由于电子迁移率大于空穴迁移率,因此霍尔元件多用N型半导体材料。选项: A:正确; B:错误
18.
制造霍尔元件的半导体材料中,使用较多的是锗、锑化铟、砷化铟,原因是 选项: A:半导体的霍尔常数比金属的大 B:半导体中电子迁移率比较大 C:半导体中电子的迁移率比空穴高 D:N型半导体材料较适宜做灵敏度高的霍尔元件
19.
判断:金属材料自由电子浓度很高,输出电压较小,不易做霍尔元件。半导体材料较适合,一般情况下,由于电子迁移率大于空穴迁移率,因此霍尔元件多用N型半导体材料。 选项: A:正确 B:错误
20.
制造霍尔元件的半导体材料中,目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟,其原因是这些( )。 选项:A. 半导体材料的霍尔常数比金属的大B. 半导体中电子迁移率比空穴高C. 半导体材料的电子迁移率比较大D. N 型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件
21.
【多选题】下列关于霍尔元件的叙述,正确的有()。 选项: A: 制作霍尔元件时多采用N型半导体材料 B: 减小霍尔元件的厚度,可以提高其灵敏度 C: 如果霍尔片两端的电压为E,那么适当地选择材料的迁移率及霍 尔片的宽长比可改变霍尔电势值 D: 金属可用于制作霍尔元件
22.
613、下列关于霍尔元件的叙述,正确的有()。 选项: A:A.制作霍尔元件时多采用N型半导体材料 B:B.减小霍尔元件的厚度,可以提高其灵敏度 C:C.如果霍尔片两端的电压为E,那么适当地选择材料的迁移率及霍尔片的宽长比可改变霍尔电势值 D:D.金属可用于制作霍尔元件
23.
下列关于霍尔元件的叙述,正确的有()。 选项: A:A.制作霍尔元件时多采用N型半导体材料 B:B.减小霍尔元件的厚度,可以提高其灵敏度 C:C.如果霍尔片两端的电压为E,那么适当地选择材料的迁移率及霍尔片的宽长比可改变霍尔电势值 D:D.金属可用于制作霍尔元件
24.
下列关于霍尔元件的叙述,正确的有( ) 选项:A、制作霍尔元件时多采用P型半导体 B、减小霍尔元件的厚度,可以提高其灵敏度 C、如果霍尔片两端的电压为U,那么适当地选择材料的迁移率及霍尔片的宽长比可改变霍尔电势值 D、金属可用于制作霍尔元件
25.
霍尔原件多采用()型半导体材料。 选项: A:N型半导体材料 B:P型半导体材料 C:石英 D:钛酸钡
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