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( )是俘获电子或空穴的杂质。
选项:
A:施主;
B:受主;
C:复合中心;
D:陷阱
发布时间:
2024-06-15 21:06:46
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相关试题
1.
将Si掺杂入GaAs中,若Si取代Ga则起( )杂质作用。 选项: A、陷阱 B、施主 C、受主 D、复合中心
2.
如果杂质在化合物半导体中既有施主作用又有受主作用,则这种杂质称为( )。 选项: A、陷阱 B、双性杂质 C、复合中心 D、中性杂质
3.
将Si掺杂入GaAs中,若Si取代Ga则起()杂质作用,若Si取代As则起()杂质作用。 选项: A、施主 B、受主 C、陷阱 D、复合中心
4.
p型的MOS结构半导体表面处于反型区时,空间电荷是 的,为 ( )。选项: A:正,电离施主杂质; B:正,电离施主杂质和空穴; C:负,电离受主杂质; D:负,电离受主杂质和电子
5.
p型的MOS结构半导体表面处于反型区时,空间电荷是 的,为 ( )。 选项: A、正,电离施主杂质 B、正,电离施主杂质和空穴 C、负,电离受主杂质 D、负,电离受主杂质和电子
6.
6、非本征半导体中,当电子浓度高于空穴浓度时,半导体是 型,掺入的是 杂质。 选项:A、n, 受主B、n, 施主C、p, 受主D、p, 施主
7.
p型空间电荷区由( )构成。选项: A:电子; B:空穴; C:带正电的电离施主杂质; D:带负电的电离受主杂质
8.
非本征半导体中,当电子浓度高于空穴浓度时,半导体是 型,掺入的是 杂质。 选项:A.n, 受主B.n, 施主C.p, 受主D.p, 施主
9.
硅在砷化镓中是施主杂质还是受主杂质 选项: A、施主杂质 B、受主杂质 C、既可以表现为施主杂质,也可以表现为受主杂质 D、既不表现为施主杂质,也不表现为受主杂质
10.
以下哪种情况下,半导体为N型的?选项: A:本征半导体中掺入施主杂质。; B:半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度大于受主浓度。; C:半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度小于受主浓度。; D:半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度等于受主浓度。; E:本征半导体中掺入受主杂质。
11.
施主杂质给半导体提供的载流子是 选项: A、电子 B、空穴 C、光子 D、中微子
12.
N型半导体中主要的载流子是( )。选项: A:杂质正离子; B:自由电子; C:空穴; D:施主杂质
13.
计算含有施主杂质浓度ND=91015 cm-3和受主杂质浓度ND=1.11016 cm-3的硅在300K时的电子和空穴密度以及费米能级的位置。
14.
长余辉发光机理的空穴转移模型中,Dy为( )俘获中心选项: A:电子 B:空穴 C:光子
15.
如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主杂质浓度和受主杂质浓度相等,会造成什么结果?
16.
计算含有施主杂质浓度为nd=9?1015cm-3,及受主杂质浓度为1.1?1016cm3,的硅在33k时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。
17.
计算含有施主杂质浓度为ND=9⨯1015cm-3,及受主杂质浓度为1.1⨯1016cm3,的硅在33K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。
18.
如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主杂质浓度和受主杂质浓度相等,会造成什么结果?? 通过杂质的补偿作用,半导体变为P型半导体。|施主杂质和受主杂质之间高度补偿,半导体中存在大量杂质,特性很差。|施主杂质和受主杂质完全补偿掉,结果是没有杂质,类似本征半导体。|通过杂质的补偿作用,半导体变为N型半导体。
19.
计算含有施主杂质浓度 N D =9x10 15 cm -3 及受主杂质浓度为 N A =1.1x10 16 cm -3 的硅在 300K 时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。
20.
P型半导体中的掺杂杂质是: 选项: A、施主 B、受主
21.
把磷化镓在氮气氛中退火,会有氮取代部分的磷,这会在磷化镓中出现( )。选项: A:改变禁带宽度 B:产生复合中心 C:产生空穴陷阱 D:产生等电子陷阱
22.
以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是选项: A:纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体。; B:实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的,只要杂质和缺陷在一定限度内,就可看作是本征半导体。; C:本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体。; D:本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体,掺入受主杂质可形成p型半导体。; E:n型半导体依靠导带电子导电。; F:p型半导体依靠价带空穴导电。; G:本征半导体中载流子由本征激发产生。; H:本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度。; I:施主杂质电离可以为半导体提供导电电子。; J:受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴。; K:杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生。; L:杂质半导体中也存在本征激发的过程。
23.
以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是 选项: A、纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体。 B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的,只要杂质和缺陷在一定限度内,就可看作是本征半导体。 C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体。 D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体,掺入受主杂质可形成p型半导体。 E、n型半导体依靠导带电子导电。 F、p型半导体依靠价带空穴导电。 G、本征半导体中载流子由本征激发产生。 H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度。 I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子。 J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴。 K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生。 L、杂质半导体中也存在本征激发的过程。
24.
关于施主掺杂,下列说法不正确的是()选项: A:施主杂质电离后,可以为半导体提供导电电子; B:施主杂质电离后,电离中心带正电; C:施主杂质是一种间隙式杂质; D:单一施主掺杂后的半导体为n型半导体
25.
把磷化镓在氮气气氛中退火,会有氮取代部分的磷,这会在磷化镓中出现( )。选项: A:改变禁带宽度; B:产生复合中心; C:产生等电子陷阱; D:产生空穴陷阱
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