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- 1.对于硅半导体，当施主杂质能级与费米能级重合时，则未电离施主杂质与已电离施主杂质的比值为__________。
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2.GaN通过掺杂施主杂质Si和受主杂质Mg可实现n型和p型半导体。(
) - 3.以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是选项： A:理想情况下，纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体。; B:实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体。; C:本征半导体中掺入杂质可形成杂质半导体。; D:本征半导体中掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体。; E:n型半导体主要依靠导带电子导电。; F:p型半导体主要依靠价带空穴导电。; G:本征半导体中载流子由本征激发产生。; H:本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度。; I:施主杂质电离可以为半导体提供导电的电子。; J:受主杂质电离可以为半导体提供导电的空穴。; K:一般情况下，杂质半导体中的载流子主要来源于杂质电离。; L:杂质半导体中也存在本征激发的过程。
- 4.如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，且施主杂质浓度和受主杂质浓度相等，会造成什么结果？? 通过杂质的补偿作用，半导体变为P型半导体。|施主杂质和受主杂质之间高度补偿，半导体中存在大量杂质，特性很差。|施主杂质和受主杂质完全补偿掉，结果是没有杂质，类似本征半导体。|通过杂质的补偿作用，半导体变为N型半导体。
- 5.N型半导体中主要的载流子是（ ）。选项： A:杂质正离子; B:自由电子; C:空穴; D:施主杂质
- 6.中国大学MOOC: 3、掺入施主杂质的半导体称为n型半导体，杂质能级离价带很近。
- 7.当一种半导体同时掺入施主杂质和受主杂质时，施主杂质和受主杂质之间有相互抵消的作用，这种现象称为 ____。
- 8.非杂质补偿的N型半导体中的载流子，以下说法正确的是 选项： A:N型半导体中的电子浓度近似等于施主杂质浓度; B:N型半导体的电子浓度近似等于空穴浓度; C:N型半导体中的电子浓度近似等于受主浓度; D:N型半导体中的空穴浓度近似等于施主浓度
- 9.6、非本征半导体中，当电子浓度高于空穴浓度时，半导体是 型，掺入的是 杂质。 选项：A、n, 受主B、n, 施主C、p, 受主D、p, 施主
- 10.把不同种类的施主杂质掺入同一种半导体材料中，杂质的电离能和轨道半径是否不同？把同一种杂质掺入到不同的半导体材料中（例如锗和硅），杂质的电离能和轨道半径又是否都相同？
- 11.施主杂质给半导体提供的载流子是 选项： A、电子 B、空穴 C、光子 D、中微子
- 12.同一种施主杂质掺入甲、乙两种半导体，如果甲的相对介电常数是乙的3/4，mn*/m0的值是乙的2倍，那么用类氢模型计算的结果是（）。A 甲的施主杂质电离能是乙的8/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/4B 甲的施主杂质电离能是乙的3/2，弱束缚电子基态轨道半径为乙的32/9C 甲的施主杂质电离能是乙的16/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的8/3D 甲的施主杂质电离能是乙的32/9，弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/8选项： A:A; B:B; C:C; D:D
- 13.已知Si中只含施主杂质ND=1015cm-3，现在40K下测得电子浓度为1012cm-3，试估算施主杂质的电离能。
- 14.硅在砷化镓中是施主杂质还是受主杂质 选项： A、施主杂质 B、受主杂质 C、既可以表现为施主杂质，也可以表现为受主杂质 D、既不表现为施主杂质，也不表现为受主杂质
- 15.关于杂质半导体，说法正确的是 选项： A、掺杂的作用时改变半导体的载流子浓度，使半导体导电能力增强 B、 N型半导体是掺入了受主杂质的半导体 C、P型半导体主要依靠空穴导电 D、杂质半导体中载流子的浓度需同时考虑杂质激发和本征激发
- 16.化合物半导体砷化镓常用的施主杂质是（）。 选项： A、锡 B、硼 C、磷 D、锰
