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p型空间电荷区由( )构成。
选项:
A:电子;
B:空穴;
C:带正电的电离施主杂质;
D:带负电的电离受主杂质
负电
电离
正电
发布时间:
2024-04-20 22:29:08
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相关试题
1.
p型的MOS结构半导体表面处于反型区时,空间电荷是 的,为 ( )。选项: A:正,电离施主杂质; B:正,电离施主杂质和空穴; C:负,电离受主杂质; D:负,电离受主杂质和电子
2.
p型的MOS结构半导体表面处于反型区时,空间电荷是 的,为 ( )。 选项: A、正,电离施主杂质 B、正,电离施主杂质和空穴 C、负,电离受主杂质 D、负,电离受主杂质和电子
3.
关于施主掺杂,下列说法不正确的是()选项: A:施主杂质电离后,可以为半导体提供导电电子; B:施主杂质电离后,电离中心带正电; C:施主杂质是一种间隙式杂质; D:单一施主掺杂后的半导体为n型半导体
4.
P型半导体中,少数载流子是:选项: A:自由电子; B:空穴; C:带负电的杂质离子; D:带正电的杂质离子
5.
施主杂质电离后向半导体导带提供() 选项: A、 空穴 B、 电子 C、 0 D、 00
6.
以下关于施主杂质的描述,正确的是选项: A:施主杂质在束缚态时带有负电荷; B:施主杂质在束缚态时带有正电荷; C:施主杂质的电离能一般远小于本征半导体的禁带宽度; D:P作为Si的施主时,是一种替位杂质; E:施主能级可位于禁带中
7.
以下关于施主杂质的描述,正确的是选项: A:施主杂质在束缚态时带有负电荷; B:施主杂质在束缚态时带有正电荷; C:施主杂质的电离能一般远小于本征半导体的禁带宽度; D:P作为Si的施主时,是一种替位杂质; E:施主能级可位于禁带中
8.
以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是 选项: A、纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体。 B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的,只要杂质和缺陷在一定限度内,就可看作是本征半导体。 C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体。 D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体,掺入受主杂质可形成p型半导体。 E、n型半导体依靠导带电子导电。 F、p型半导体依靠价带空穴导电。 G、本征半导体中载流子由本征激发产生。 H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度。 I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子。 J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴。 K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生。 L、杂质半导体中也存在本征激发的过程。
9.
6、非本征半导体中,当电子浓度高于空穴浓度时,半导体是 型,掺入的是 杂质。 选项:A、n, 受主B、n, 施主C、p, 受主D、p, 施主
10.
粒子束武器中的粒子包括()。 选项: A:电子 B:中子 C:质子 D:带正电离子 E:带负电离子
11.
自由电子带正电,空穴带负电
12.
自由电子带负电,空穴带正电
13.
半导体中空穴带正电,电子带负电。
14.
半导体中空穴带正电,电子带负电。()
15.
对于受主型能级,无电子填充时表面态是 的,有电子填充时表面态是 的()。选项: A:电中性,带正电; B:带负电,电中性; C:电中性,带负电; D:带正电,电中性
16.
P型半导体中,少数载流子是()。 选项: A: 正负电荷 B: 杂质 C: 电子 D: 空穴 E: 杂质 F: 电子 G: 空穴 H:C
17.
对于硅半导体,当施主杂质能级与费米能级重合时,则未电离施主杂质与已电离施主杂质的比值为__________。
18.
半导体中空穴带正电,电子带负电。 选项: A:正确 B:错误
19.
半导体中空穴带正电,电子带负电。( ) 选项: A: true B: false
20.
当施主能级ED与费米能级EF重合时,电离施主杂质的浓度为未电离施主杂质浓度的_________倍。
21.
以下哪种情况下,半导体为N型的?选项: A:本征半导体中掺入施主杂质。; B:半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度大于受主浓度。; C:半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度小于受主浓度。; D:半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度等于受主浓度。; E:本征半导体中掺入受主杂质。
22.
硅在砷化镓中是施主杂质还是受主杂质 选项: A、施主杂质 B、受主杂质 C、既可以表现为施主杂质,也可以表现为受主杂质 D、既不表现为施主杂质,也不表现为受主杂质
23.
半导体中空穴带正电,电子带负电。A.正确B.错误
24.
半导体中空穴带正电,电子带负电。( ) (1.0分) 选项: A:正确 B:错误
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