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P型半导体中的掺杂杂质是:
选项:
A:施主
B:受主
发布时间:
2024-06-15 21:08:08
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1.
GaN通过掺杂施主杂质Si和受主杂质Mg可实现n型和p型半导体。(
)
2.
以下哪种情况下,半导体为N型的?选项: A:本征半导体中掺入施主杂质。; B:半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度大于受主浓度。; C:半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度小于受主浓度。; D:半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度等于受主浓度。; E:本征半导体中掺入受主杂质。
3.
以下哪种情况下,半导体为N型的?选项: A:本征半导体中掺入施主杂质。; B:本征半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度大于受主浓度。; C:本征半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度小于受主浓度。; D:本征半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度等于受主浓度。; E:本征半导体中掺入受主杂质。
4.
如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主杂质浓度和受主杂质浓度相等,会造成什么结果?? 通过杂质的补偿作用,半导体变为P型半导体。|施主杂质和受主杂质之间高度补偿,半导体中存在大量杂质,特性很差。|施主杂质和受主杂质完全补偿掉,结果是没有杂质,类似本征半导体。|通过杂质的补偿作用,半导体变为N型半导体。
5.
非本征半导体中,当电子浓度高于空穴浓度时,半导体是 型,掺入的是 杂质。 选项:A.n, 受主B.n, 施主C.p, 受主D.p, 施主
6.
p型的MOS结构半导体表面处于反型区时,空间电荷是 的,为 ( )。 选项: A、正,电离施主杂质 B、正,电离施主杂质和空穴 C、负,电离受主杂质 D、负,电离受主杂质和电子
7.
关于施主掺杂,下列说法不正确的是()选项: A:施主杂质电离后,可以为半导体提供导电电子; B:施主杂质电离后,电离中心带正电; C:施主杂质是一种间隙式杂质; D:单一施主掺杂后的半导体为n型半导体
8.
在半导体硅中杂质P起施主作用;Al起受主作用,同时含磷和铝,但铝浓度高的Si是p型半导体。()
9.
如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主杂质浓度和受主杂质浓度相等,会造成什么结果?
10.
在半导体硅中杂质P起施主作用;Al起受主作用,同时含磷和铝,但铝浓度高的Si是p型半导体。( ) 选项: A、对 B、错
11.
关于杂质半导体,说法正确的是 选项: A、掺杂的作用时改变半导体的载流子浓度,使半导体导电能力增强 B、 N型半导体是掺入了受主杂质的半导体 C、P型半导体主要依靠空穴导电 D、杂质半导体中载流子的浓度需同时考虑杂质激发和本征激发
12.
硅在砷化镓中是施主杂质还是受主杂质 选项: A、施主杂质 B、受主杂质 C、既可以表现为施主杂质,也可以表现为受主杂质 D、既不表现为施主杂质,也不表现为受主杂质
13.
非杂质补偿的N型半导体中的载流子,以下说法正确的是选项: A:N型半导体中的电子浓度近似等于施主杂质浓度; B:N型半导体的电子浓度近似等于空穴浓度; C:N型半导体中的电子浓度近似等于受主浓度; D:N型半导体中的空穴浓度近似等于施主浓度
14.
对于p型半导体,费米能级随受主杂质掺杂浓度的变化情况为?A.费米能级随掺杂浓度的增加向 价带顶 移动B.费米能级随掺杂浓度的增加向 导带底 移动C.费米能级随掺杂浓度的增加向 禁带中线 移动D.费米能级随掺杂浓度的增加向 施主能级 移动
15.
室温下,Si半导体中受主浓度大于施主浓度,该半导体为().选项: A:n型半导体; B:p型半导体; C:本征半导体; D:非简并半导体
16.
将Si掺杂入GaAs中,若Si取代Ga则起()杂质作用,若Si取代As则起()杂质作用。 选项: A、施主 B、受主 C、陷阱 D、复合中心
17.
如果杂质在化合物半导体中既有施主作用又有受主作用,则这种杂质称为( )。 选项: A、陷阱 B、双性杂质 C、复合中心 D、中性杂质
18.
p型空间电荷区由( )构成。选项: A:电子; B:空穴; C:带正电的电离施主杂质; D:带负电的电离受主杂质
19.
本征半导体的两侧分别掺入施主型和受主型杂质,两者的界面及其相邻的区域称为PN结。( )选项: A:对 B:错
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