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- 1.将Si掺杂入GaAs中,若Si取代Ga则起()杂质作用,若Si取代As则起()杂质作用。 选项： A、施主 B、受主 C、陷阱 D、复合中心
- 2.( )是俘获电子或空穴的杂质。选项： A:施主; B:受主; C:复合中心; D:陷阱
- 3. 在半导体硅中杂质P起施主作用；Al起受主作用，同时含磷和铝，但铝浓度高的Si是p型半导体。（）
- 4.P型半导体中的掺杂杂质是: 选项： A、施主 B、受主
- 5.硅、锗中的杂质对其导电性有影响,其中I族杂质起受主作用，V族杂质起施主作用。 选项： A:正确 B:错误
- 6.如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，且施主杂质浓度和受主杂质浓度相等，会造成什么结果？? 通过杂质的补偿作用，半导体变为P型半导体。|施主杂质和受主杂质之间高度补偿，半导体中存在大量杂质，特性很差。|施主杂质和受主杂质完全补偿掉，结果是没有杂质，类似本征半导体。|通过杂质的补偿作用，半导体变为N型半导体。
- 7.当一种半导体同时掺入施主杂质和受主杂质时，施主杂质和受主杂质之间有相互抵消的作用，这种现象称为 ____。
- 8.硅、锗和砷化镓三种半导体材料在室温且较纯的情况下，电子迁移率大小顺序为（）。 选项：A、 μSi＜μGe＜μGaAs B、 μGaAs＜μGe＜μSi C、无法比较 D、μGe＜μSi＜μGaAs
- 9.如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，且施主杂质浓度和受主杂质浓度相等，会造成什么结果？
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10.砷化镓通过掺杂Al、In、P等元素可以调节其禁带宽度,通过掺杂Si元素分别替代Ga或者As离子可实现n型或者p型掺杂。(
) - 11.关于施主掺杂，下列说法不正确的是（）选项： A:施主杂质电离后，可以为半导体提供导电电子; B:施主杂质电离后，电离中心带正电; C:施主杂质是一种间隙式杂质; D:单一施主掺杂后的半导体为n型半导体
- 12.60Si2Mn钢中合金元素的作用是选项： A:Si、Mn复合,强化铁素体 B:Si / Mn 提高淬透性，使Ms不过分降低,开裂倾向小 C:Si有效提高回稳性 D:Si、Mn复合，脱碳和过热敏感性较硅钢、锰钢为小
- 13.已知Si中只含施主杂质ND=1015cm-3，现在40K下测得电子浓度为1012cm-3，试估算施主杂质的电离能。
- 14.室温下，Si半导体中受主浓度大于施主浓度，该半导体为（）.选项： A:n型半导体; B:p型半导体; C:本征半导体; D:不确定
- 15.Si、Mn、S、P是钢中的杂质，其中元素（ ）是有害元素。选项： A:Si、P B:Si、Mn C:S、P D:Mn、S
- 16.下列半导体中，禁带宽度Eg最小的是（ ） 选项： A、Si B、 Ge C、 GaAs D、 GaN
- 17.下列不属于半导体的是?选项： A:Si; B:Ge; C:GaAs; D:Fe
- 18.下面哪个材料不属于半导体材料？ 选项： A、Si B、GaAs C、Ge D、Fe
- 19.p型的MOS结构半导体表面处于反型区时，空间电荷是 的，为 （ ）。选项： A:正，电离施主杂质; B:正，电离施主杂质和空穴; C:负，电离受主杂质; D:负，电离受主杂质和电子
