非本征半导体中，当电子浓度高于空穴浓度时，半导体是 型，掺入的是 杂质。
选项：
A:n, 受主
B:n, 施主
C:p, 受主
D:p, 施主
发布时间：2024-06-04 19:22:53
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非本征半导体中，当电子浓度高于空穴浓度时，半导体是 型，掺入的是 杂质。
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- 1.以下哪种情况下，半导体为N型的？选项： A:本征半导体中掺入施主杂质。; B:本征半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，且施主浓度大于受主浓度。; C:本征半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，且施主浓度小于受主浓度。; D:本征半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，且施主浓度等于受主浓度。; E:本征半导体中掺入受主杂质。
- 2.以下哪种情况下，半导体为N型的？选项： A:本征半导体中掺入施主杂质。; B:半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，且施主浓度大于受主浓度。; C:半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，且施主浓度小于受主浓度。; D:半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，且施主浓度等于受主浓度。; E:本征半导体中掺入受主杂质。
- 3.如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，且施主杂质浓度和受主杂质浓度相等，会造成什么结果？? 通过杂质的补偿作用，半导体变为P型半导体。|施主杂质和受主杂质之间高度补偿，半导体中存在大量杂质，特性很差。|施主杂质和受主杂质完全补偿掉，结果是没有杂质，类似本征半导体。|通过杂质的补偿作用，半导体变为N型半导体。
- 4.非杂质补偿的N型半导体中的载流子，以下说法正确的是 选项： A:N型半导体中的电子浓度近似等于施主杂质浓度; B:N型半导体的电子浓度近似等于空穴浓度; C:N型半导体中的电子浓度近似等于受主浓度; D:N型半导体中的空穴浓度近似等于施主浓度
- 5.如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，且施主杂质浓度和受主杂质浓度相等，会造成什么结果？
- 6.以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是选项： A:理想情况下，纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体。; B:实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体。; C:本征半导体中掺入杂质可形成杂质半导体。; D:本征半导体中掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体。; E:n型半导体主要依靠导带电子导电。; F:p型半导体主要依靠价带空穴导电。; G:本征半导体中载流子由本征激发产生。; H:本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度。; I:施主杂质电离可以为半导体提供导电的电子。; J:受主杂质电离可以为半导体提供导电的空穴。; K:一般情况下，杂质半导体中的载流子主要来源于杂质电离。; L:杂质半导体中也存在本征激发的过程。
- 7.室温下，Si半导体中受主浓度大于施主浓度，该半导体为（）.选项： A:n型半导体; B:p型半导体; C:本征半导体; D:非简并半导体
- 8.p型半导体是掺入了受主杂质的非本征半导体,以____作为载流子。
- 9.p型的MOS结构半导体表面处于反型区时，空间电荷是 的，为 （ ）。选项： A:正，电离施主杂质; B:正，电离施主杂质和空穴; C:负，电离受主杂质; D:负，电离受主杂质和电子
- 10.p型的MOS结构半导体表面处于反型区时，空间电荷是 的，为 （ ）。 选项： A、正，电离施主杂质 B、正，电离施主杂质和空穴 C、负，电离受主杂质 D、负，电离受主杂质和电子
- 11.本征半导体的两侧分别掺入施主型和受主型杂质，两者的界面及其相邻的区域称为PN结。（ ）选项： A:对 B:错
- 12. 本征半导体中，自由电子浓度________空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度________空穴浓度；在N型半导体中，自由电子浓度________空穴浓度。
- 13.在半导体硅中杂质P起施主作用；Al起受主作用，同时含磷和铝，但铝浓度高的Si是p型半导体。（ ） 选项： A、对 B、错
- 14.在半导体硅中杂质P起施主作用；Al起受主作用，同时含磷和铝，但铝浓度高的Si是p型半导体。（ ）选项： A:对 B:错
- 15.在本征半导体中，自由电子浓度_____空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度_______空穴浓度，在N型半导体中，自由电子浓度_______空穴浓度
- 16.在本征半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在N型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
-
17.GaN通过掺杂施主杂质Si和受主杂质Mg可实现n型和p型半导体。(
) - 18.将三价的硼作为杂质参杂到硅半导体中， 以下叙述正确的是（ ）。选项： A:硼为施主杂质。; B:硼为受主杂质。; C:形成P型半导体。; D:形成N型半导体。
- 19.计算含有施主杂质浓度为ND=9 1015cm3,及受主杂质浓度为1.1 1016cmi,的硅在33K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置
- 20.( )是同时俘获电子和空穴的杂质。选项： A:施主; B:受主; C:复合中心; D:陷阱
- 21.计算含有施主杂质浓度为ND=9×1015cm-3,及受主杂质浓度为1.1×1016cm3,的硅在300K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。
