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在半导体硅中杂质P起施主作用;Al起受主作用,同时含磷和铝,但铝浓度高的Si是p型半导体。( )
选项:
A:对
B:错
发布时间:
2024-06-15 21:08:08
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1.
如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主杂质浓度和受主杂质浓度相等,会造成什么结果?? 通过杂质的补偿作用,半导体变为P型半导体。|施主杂质和受主杂质之间高度补偿,半导体中存在大量杂质,特性很差。|施主杂质和受主杂质完全补偿掉,结果是没有杂质,类似本征半导体。|通过杂质的补偿作用,半导体变为N型半导体。
2.
以下哪种情况下,半导体为N型的?选项: A:本征半导体中掺入施主杂质。; B:半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度大于受主浓度。; C:半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度小于受主浓度。; D:半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度等于受主浓度。; E:本征半导体中掺入受主杂质。
3.
以下哪种情况下,半导体为N型的?选项: A:本征半导体中掺入施主杂质。; B:本征半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度大于受主浓度。; C:本征半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度小于受主浓度。; D:本征半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度等于受主浓度。; E:本征半导体中掺入受主杂质。
4.
非本征半导体中,当电子浓度高于空穴浓度时,半导体是 型,掺入的是 杂质。 选项:A.n, 受主B.n, 施主C.p, 受主D.p, 施主
5.
P型半导体中的掺杂杂质是: 选项: A、施主 B、受主
6.
如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主杂质浓度和受主杂质浓度相等,会造成什么结果?
7.
关于杂质半导体,说法正确的是 选项: A、掺杂的作用时改变半导体的载流子浓度,使半导体导电能力增强 B、 N型半导体是掺入了受主杂质的半导体 C、P型半导体主要依靠空穴导电 D、杂质半导体中载流子的浓度需同时考虑杂质激发和本征激发
8.
在硅(Si)单晶中掺入硼(B),可形成n型半导体;掺入磷(P),可形成p型半导体。 选项: A:正确 B:错误
9.
非杂质补偿的N型半导体中的载流子,以下说法正确的是 选项: A:N型半导体中的电子浓度近似等于施主杂质浓度; B:N型半导体的电子浓度近似等于空穴浓度; C:N型半导体中的电子浓度近似等于受主浓度; D:N型半导体中的空穴浓度近似等于施主浓度
10.
中国大学MOOC: 当半导体硅中掺有受主杂质时,主要靠( )导电,这种半导体称为P型半导体。
11.
砷化镓中替代镓位的硅原子起施主作用;这样的砷化镓是n型半导体。( )选项: A:对 B:错
12.
硅、锗中的杂质对其导电性有影响,其中I族杂质起受主作用,V族杂质起施主作用。 选项: A:正确 B:错误
13.
将Si掺杂入GaAs中,若Si取代Ga则起( )杂质作用。 选项: A、陷阱 B、施主 C、受主 D、复合中心
14.
以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是选项: A:纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体。; B:实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的,只要杂质和缺陷在一定限度内,就可看作是本征半导体。; C:本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体。; D:本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体,掺入受主杂质可形成p型半导体。; E:n型半导体依靠导带电子导电。; F:p型半导体依靠价带空穴导电。; G:本征半导体中载流子由本征激发产生。; H:本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度。; I:施主杂质电离可以为半导体提供导电电子。; J:受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴。; K:杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生。; L:杂质半导体中也存在本征激发的过程。
15.
以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是 选项: A、纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体。 B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的,只要杂质和缺陷在一定限度内,就可看作是本征半导体。 C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体。 D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体,掺入受主杂质可形成p型半导体。 E、n型半导体依靠导带电子导电。 F、p型半导体依靠价带空穴导电。 G、本征半导体中载流子由本征激发产生。 H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度。 I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子。 J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴。 K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生。 L、杂质半导体中也存在本征激发的过程。
16.
p型的MOS结构半导体表面处于反型区时,空间电荷是 的,为 ( )。 选项: A、正,电离施主杂质 B、正,电离施主杂质和空穴 C、负,电离受主杂质 D、负,电离受主杂质和电子
17.
以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是选项: A:理想情况下,纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体。; B:实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的,只要杂质和缺陷在一定限度内,就可看作是本征半导体。; C:本征半导体中掺入杂质可形成杂质半导体。; D:本征半导体中掺入施主杂质可形成n型半导体,掺入受主杂质可形成p型半导体。; E:n型半导体主要依靠导带电子导电。; F:p型半导体主要依靠价带空穴导电。; G:本征半导体中载流子由本征激发产生。; H:本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度。; I:施主杂质电离可以为半导体提供导电的电子。; J:受主杂质电离可以为半导体提供导电的空穴。; K:一般情况下,杂质半导体中的载流子主要来源于杂质电离。; L:杂质半导体中也存在本征激发的过程。
18.
下列材料属于N型半导体是( )。 选项: A:硅中掺有元素杂质磷、砷 B:硅中掺有元素杂质硼、铝 C:砷化镓掺有元素杂质硅、碲 D:砷化镓中掺元素杂质锌、镉、镁
19.
如果①锗用锑掺杂,②硅用铝掺杂,则分别获得的半导体属于下述哪一类型[ ]。 选项: A、 ① ,②均为n型半导体 B、 ①为p型半导体,②为n型半导体 C、 ①为n型半导体,②为p型半导体 D、 ①,②均为p型半导体
20.
在硅或锗的晶体中掺入少量的 5 价杂质元素,如磷、锑、砷等,可以构成 。( )选项: A:N型半导体 B:P型半导体
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