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- 1. 在本征半导体中，自由电子浓度_____空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度_______空穴浓度，在N型半导体中，自由电子浓度_______空穴浓度。 选项： A、 大于 B、 小于 C、 等于 D、 不等于
- 2.6、非本征半导体中，当电子浓度高于空穴浓度时，半导体是 型，掺入的是 杂质。 选项：A、n, 受主B、n, 施主C、p, 受主D、p, 施主
- 3. 本征半导体中，自由电子浓度________空穴浓度；在P型半导体中，________浓度小于______浓度；在N型半导体中，自由电子浓度________空穴浓度。
-
4.N型半导体的自由电子浓度（ ）空穴浓度，P型半导体的电子浓度（ ）空穴浓度。 选项： A:
低于、高于
B:高于、低于
C:等于、等于
D:高于、等于
- 5.非本征半导体中，当电子浓度高于空穴浓度时，半导体是 型，掺入的是 杂质。 选项：A．n, 受主B．n, 施主C．p, 受主D．p, 施主
- 6. 在杂质半导体中,多数载流子的浓度与杂质浓度有关,N型半导体中的少数载流子是( )。 选项： A、 自由电子 B、 空穴
- 7.N型半导体的电子浓度( )空穴浓度 选项： A:等于 B:大于 C:大于 D:无关
- 8.以下哪种情况下，半导体为N型的？选项： A:本征半导体中掺入施主杂质。; B:本征半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，且施主浓度大于受主浓度。; C:本征半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，且施主浓度小于受主浓度。; D:本征半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，且施主浓度等于受主浓度。; E:本征半导体中掺入受主杂质。
- 9.对于n型半导体，在低温弱电离区，导带电子浓度（ ）施主浓度。 选项： A、大于 B、小于 C、约等于 D、远小于
- 10.室温下，Si半导体中受主浓度大于施主浓度，该半导体为（）.选项： A:n型半导体; B:p型半导体; C:本征半导体; D:不确定
- 11.当P型半导体和N型半导体紧密结合在一起时，交界面附近会可能会发生的现象有（ ）。选项： A:在P区，空穴浓度高，电子浓度低。; B:在N区，空穴浓度高，电子浓度低。; C:在N区，电子浓度高，空穴浓度低。; D:在P区，电子浓度高，空穴浓度低。
- 12.关于杂质半导体，说法正确的是 选项： A、掺杂的作用时改变半导体的载流子浓度，使半导体导电能力增强 B、 N型半导体是掺入了受主杂质的半导体 C、P型半导体主要依靠空穴导电 D、杂质半导体中载流子的浓度需同时考虑杂质激发和本征激发
- 13.轻掺杂的N型半导体中本征载流子浓度比重掺杂的N型半导体中本征载流子浓度要低选项： A:正确; B:错误
- 14.轻掺杂N型半导体的本征载流子浓度比重掺杂N型半导体的本征载流子浓度低选项： A:正确; B:错误
- 15.在半导体材料中，本征半导体的自由电子浓度等于空穴的浓度
- 16.杂质半导体中少数载流子浓度()。 选项： A、小于本征半导体载流子浓度 B、小于等于本征半导体载流子浓度 C、大于本征半导体载流子浓度 D、等于本征半导体载流子浓度
- 17.N型半导体中主要的载流子是（ ）。选项： A:杂质正离子; B:自由电子; C:空穴; D:施主杂质
- 18.N型半导体中主要的载流子是（ ）。 选项： A:杂质正离子; B:自由电子; C:空穴; D:施主杂质
- 19.1.在N型半导体中 为多数载流子。 A、电子 B、空穴 C、中子 D、原子 选项： A、N型半导体中多数载流子为电子。 B、错的，因为N型半导体中多数载流子为电子。 C、错的，因为N型半导体中多数载流子为电子。 D、错的，因为N型半导体中多数载流子为电子。
