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已知 ENMOS管的时,其漏极电流若忽略工作在饱和区时的沟道长度调制效应,试计算
调制
电流
区时
发布时间:
2024-04-14 19:45:10
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1.
9.已知 ENMOS管时,其漏极电流若忽略工作在饱和区时的沟道长度调制效应,试计算(1)当时,漏极电流i的大
2.
已知 ENMOS管的忽略工作在饱和区时的沟道长度调制效应,试计算时,漏极电流in的大
3.
沟道长度调制效应是指在MOS管饱和工作时,沟道长度变大的现象
4.
沟道长度调制效应是指在MOS管饱和工作时,沟道长度变大的现象
5.
沟道长度调制效应是指在MOS管饱和工作时,沟道长度变大的现象 选项: A:正确; B:错误
6.
有关场效应管,以下说法错误的是( )选项: A:场效应管主要靠导电沟道中的多数载流子实现导电; B:在恒流区,漏极电流基本不受漏源极电压的控制; C:在恒流区,场效应管的漏极电流和栅源极电压之间是平方率关系; D:发生预夹断后,场效应管的漏极电流因为沟道被部分夹断而会减小
7.
当MOSFET工作在饱和区时,若VGS一定,VDS增加时,则其沟道长度L将会变( )。
8.
假设NEMOSFET已工作在饱和区,若继续增大时,沟道夹断点向漏极移动。A.正确B.错误
9.
短沟道MOSFET发生沟道载流子速度饱和之后,会出现哪些现象:( )。选项: A:饱和漏源电压正比于沟道长度 L; B:阈值电压随L 的缩短而减小; C:饱和漏极电流与沟道长度L无关; D:跨导与沟道长度 L 不再有关
10.
假设NEMOSFET已工作在饱和区,若【图片】继续增大时,沟道夹断点向漏极移动。A.正确B.错误
11.
N沟道增强型MOS管,当VGS < VGS(th) 时,漏极电流ID = ______。
12.
以下哪些因素会降低MOSFET的饱和区漏极电流:( )。选项: A:栅氧化层厚度减小; B:沟道长度增加; C:沟道宽度增加; D:阈值电压提高
13.
以下哪些措施可以增大MOSFET的饱和区漏极电流:( )。选项: A:增加沟道长度; B:减小栅氧化层厚度; C: 减小沟道宽度; D: 提高阈值电压
14.
某结型场效应管的夹断电压为-3V,源极电位3V,栅极电位-1V,漏极电位10V,则下述关于该FET说法正确的是( )。选项: A:P沟道管,工作在可变电阻区; B:N沟道管,工作在放大区; C:P沟道管,工作在截止区; D:N沟道管,工作在截止区
15.
某结型场效应管的夹断电压为3V,源极电位1V,栅极电位3V,漏极电位-10V,则下述关于该FET说法正确的是( )。 A: P沟道管,工作在可变电阻区 B: N沟道管,工作在放大区 C: P沟道管,工作在放大区 D: N沟道管,工作在可变电阻区
16.
某结型场效应管的夹断电压为3V,源极电位1V,栅极电位3V,漏极电位-10V,则下述关于该FET说法正确的是( )。选项: A:P沟道管,工作在可变电阻区; B:N沟道管,工作在放大区; C:P沟道管,工作在放大区; D:N沟道管,工作在可变电阻区
17.
在放大电路中,场效应管应工作在漏极特性的()A、可变电阻区B、截止区C、饱和区D、击穿区
18.
当P沟道增强型MOS管工作在恒流区时,其漏极电位( )源极电位。 选项: A、等于 B、大于 C、小于 D、不确定
19.
某绝缘栅场效应管的开启电压为4V,源极电位-2V,栅极电位3V,漏极电位-1.2V,则下述关于该FET说法正确的是( )。选项: A:N沟道增强型管,工作在可变电阻区; B:N沟道耗尽型管,工作在放大区; C:P沟道增强型管,工作在截止区; D:P沟道耗尽型管,工作在放大区
20.
某绝缘栅场效应管的开启电压为4V,源极电位-2V,栅极电位3V,漏极电位-1.2V,则下述关于该FET说法正确的是( )。A.N 沟道增强型管,工作在可变电阻区B.N 沟道耗尽型管,工作在放大区C.P 沟道增强型管,工作在截止区D.P 沟道耗尽型管,工作在放大区
21.
某绝缘栅场效应管的开启电压为4V,源极电位-2V,栅极电位3V,漏极电位-1.2V,则下述关于该FET说法正确的是( )。A.N 沟道增强型管,工作在可变电阻区B.N 沟道耗尽型管,工作在放大区C.P 沟道增强型管,工作在截止区D.P 沟道耗尽型管,工作在放大区
22.
假设NMOS晶体管栅源电压大于阈值电压。当漏源电压VDS等于饱和电压VDSsat时,导电沟道靠近漏极处开始出现夹断。如果VDS继续增大,夹断点移向源极侧,沟道有效长度变短。选项: A:正确; B:错误
23.
在放大电路中,场效应管应工作在漏极特性的()A.可变电阻区B.截止区C.饱和区D.击穿区
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