以下哪些措施可以增大MOSFET的饱和区漏极电流:( )。选项: A:增加沟道长度; B:减小栅氧化层厚度; C: 减小沟道宽度; D: 提高阈值电压 可以 增大 阈值电压 发布时间:2024-04-14 19:45:10