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- 1.某绝缘栅场效应管的开启电压为4V，源极电位-2V，栅极电位3V，漏极电位-1.2V，则下述关于该FET说法正确的是（ ）。A．N 沟道增强型管，工作在可变电阻区B．N 沟道耗尽型管，工作在放大区C．P 沟道增强型管，工作在截止区D．P 沟道耗尽型管，工作在放大区
- 2.某绝缘栅场效应管的开启电压为4V，源极电位-2V，栅极电位3V，漏极电位-1.2V，则下述关于该FET说法正确的是（ ）。A.N 沟道增强型管，工作在可变电阻区B.N 沟道耗尽型管，工作在放大区C.P 沟道增强型管，工作在截止区D.P 沟道耗尽型管，工作在放大区
- 3.若一个增强型N沟道MOS管，开启电压为3V，源极电位为0V，栅极电位为5V，漏极电位为______时，工作在可变电阻区。 A: 1V B: 3V C: 5V D: 7V
- 4.若一个增强型N沟道MOS管，开启电压为3V，源极电位为0V，栅极电位为5V，漏极电位为______时，工作在可变电阻区。 选项： A、1V B、3V C、5V D、7V
- 5.栅源之间加正向电压可以工作在恒流区的场效应管有以下哪几种 ( )): N沟道增强型MOS管/#/N沟道结型场效应管/#/N沟道耗尽型MOS管/#/P沟道增强型MOS管/#/P沟道结型场效应管/#/P沟道耗尽型MOS管
- 6.uGS=0时可工作在恒流区的场效应管有______。 选项： A、N沟道结型场效应管 B、P沟道结型场效应管 C、N沟道增强型MOS管 D、P沟道增强型MOS管 E、N沟道耗尽型MOS管 F、P沟道耗尽型MOS管
- 7.以下哪种场效应管在栅源电压为0时可以工作在恒流区？ （ ）选项： A:N沟道增强型MOS管 B:P沟道增强型MOS管 C:结型场效应管 D:P沟道耗尽型MOS管 E: N沟道耗尽型MOS管
- 8.当VGS=0V时，不可能工作在恒流区的场效应管是 。选项： A:N沟道结型场效应管; B:N沟道增强型MOS管 ; C:P沟道耗尽型MOS管; D:P沟道结型场效应管
- 9.某FET的转移特性如图所示,其中漏极电流的假定正向是它的实际方向。试问它是哪种类型的FET?( )A.N沟道增强型MOS场效应管B.N沟道结型场效应管C.N沟道耗尽型MOS场效应管D.P沟道增强型MOS场效应管E.P沟道结型场效应管F.P沟道耗尽型MOS场效应管
- 10.可以采用自给偏压电路设置静态工作点的场效应管的类型有以下哪几种？（ ）选项： A:N沟道结型场效应管 B:P沟道结型场效应管 C:N沟道耗尽型MOS管 D:P沟道耗尽型MOS管 E:N沟道增强型MOS管 F:P沟道增强型MOS管
- 11.UGS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有（ ) 。 选项： A:N沟道结型管 B:增强型MOS管 C:耗尽型MOS管 D:P沟道结型管
- 12.某场效应管的转移特性如图所示，该管为( )。选项： A:P沟道增强型MOS管 B:P沟道结型场效应管 C:N沟道增强型MOS管 D:N沟道耗尽型MOS管
- 13.8、某场效应管的特性曲线如图所示，该管为： 选项：A:P沟道增强型MOS管|B:P沟道结型场效应管|C:N沟道增强型MOS管|D:N沟道耗尽型MOS管
- 14.某场效应管的转移特性如图所示,该管为( )A、P沟道增强型MOS管B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、N沟道耗尽型MOS管
- 15.当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。选项： A:N沟道耗尽型; B:N沟道增强型; C:P沟道耗尽型; D:P沟道增强型
- 16.当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流 A: P沟道耗尽型 B: P沟道增强型 C: N沟道耗尽型 D: N沟道增强型
- 17.当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。 选项： A、N沟道耗尽型 B、N沟道增强型 C、P沟道耗尽型 D、P沟道增强型
