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- 1.某绝缘栅场效应管的开启电压为4V，源极电位-2V，栅极电位3V，漏极电位-1.2V，则下述关于该FET说法正确的是（ ）。A．N 沟道增强型管，工作在可变电阻区B．N 沟道耗尽型管，工作在放大区C．P 沟道增强型管，工作在截止区D．P 沟道耗尽型管，工作在放大区
- 2.某绝缘栅场效应管的开启电压为4V，源极电位-2V，栅极电位3V，漏极电位-1.2V，则下述关于该FET说法正确的是（ ）。A.N 沟道增强型管，工作在可变电阻区B.N 沟道耗尽型管，工作在放大区C.P 沟道增强型管，工作在截止区D.P 沟道耗尽型管，工作在放大区
- 3.某结型场效应管的夹断电压为3V，源极电位1V，栅极电位3V，漏极电位-10V，则下述关于该FET说法正确的是（ ）。选项： A:P沟道管，工作在可变电阻区; B:N沟道管，工作在放大区; C:P沟道管，工作在放大区; D:N沟道管，工作在可变电阻区
- 4.以下哪种场效应管在栅源电压为0时可以工作在恒流区？ （ ）选项： A:N沟道增强型MOS管 B:P沟道增强型MOS管 C:结型场效应管 D:P沟道耗尽型MOS管 E: N沟道耗尽型MOS管
- 5.栅源之间加正向电压可以工作在恒流区的场效应管有以下哪几种 ( )): N沟道增强型MOS管/#/N沟道结型场效应管/#/N沟道耗尽型MOS管/#/P沟道增强型MOS管/#/P沟道结型场效应管/#/P沟道耗尽型MOS管
- 6.uGS=0时可工作在恒流区的场效应管有______。 选项： A、N沟道结型场效应管 B、P沟道结型场效应管 C、N沟道增强型MOS管 D、P沟道增强型MOS管 E、N沟道耗尽型MOS管 F、P沟道耗尽型MOS管
- 7.当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。选项： A:N沟道耗尽型; B:N沟道增强型; C:P沟道耗尽型; D:P沟道增强型
- 8.当栅源电压为0V时,_______MOS管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。 选项： A、N沟道增强型 B、P沟道耗尽型 C、N沟道耗尽型 D、P沟道增强型
- 9.当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流 A: P沟道耗尽型 B: P沟道增强型 C: N沟道耗尽型 D: N沟道增强型
- 10.当栅源电压为0V时,_______MOS管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。 A: N沟道增强型 B: P沟道耗尽型 C: N沟道耗尽型 D: P沟道增强型
- 11.绝缘栅型场效应管有哪几类（）。 N沟道增强型MOS管 N沟道不变型MOS管 N沟道耗尽型MOS管 P沟道增强型MOS管 选项：A、N沟道增强型MOS管B、N沟道不变型MOS管C、N沟道耗尽型MOS管D、P沟道增强型MOS管
- 12.当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。选项： A:P沟道增强型; B:P沟道耗尽型; C:N沟道增强型; D:N沟道耗尽型
- 13.当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。选项： A:P沟道耗尽型; B:N沟道耗尽型; C:N沟道增强型; D:P沟道增强型
- 14.当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流选项： A:P沟道耗尽型; B:P沟道增强型; C:N沟道耗尽型; D:N沟道增强型
- 15.当栅源电压为0V时，（）MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。A.N沟道耗尽型B.N沟道增强型C.P沟道耗尽型D.P沟道增强型
- 16.当栅源电压为0V时，（）MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流A.P沟道耗尽型B.P沟道增强型C.N沟道耗尽型D.N沟道增强型
- 17.当栅源电压Vgs为 0V 时, _MOS 管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。A．N 沟道耗尽型B．N 沟道增强型C．P 沟道耗尽型D．P 沟道增强型
- 18.【单选题】当栅源电压为0V时,【】MOS管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。 A. P沟道增强型 B. P沟道耗尽型 C. N沟道耗尽型 D. N沟道增强型
- 19.当VGS=0V时，不可能工作在恒流区的场效应管是 。选项： A:N沟道结型场效应管; B:N沟道增强型MOS管 ; C:P沟道耗尽型MOS管; D:P沟道结型场效应管
- 20.MOS场效应管可以分为（ ）。选项： A:N沟道增强型MOS管; B:P沟道增强型MOS管; C:N沟道耗尽型MOS管; D:P沟道耗尽型MOS管
- 21.某FET的转移特性如图所示,其中漏极电流的假定正向是它的实际方向。试问它是哪种类型的FET?( )A.N沟道增强型MOS场效应管B.N沟道结型场效应管C.N沟道耗尽型MOS场效应管D.P沟道增强型MOS场效应管E.P沟道结型场效应管F.P沟道耗尽型MOS场效应管
