假设NMOS晶体管栅源电压大于阈值电压。当漏源电压VDS等于饱和电压VDSsat时,导电沟道靠近漏极处开始出现夹断。如果VDS继续增大,夹断点移向源极侧,沟道有效长度变短。选项: A:正确; B:错误 晶体管 阈值电压 发布时间:2024-04-08 15:59:11