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真实表面既有受主型能级又有施主型能级,而清洁表面只有受主型能级。()
发布时间:
2024-06-15 21:03:43
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相关试题
1.
Au在Si半导体中是有效的复合中心,既能起施主作用,又能起受主作用。但是在n型Si中,只有( )起作用选项: A:施主能级; B:受主能级; C:禁带中央能级; D:费米能级
2.
硅晶体中掺入硼原子,会引入杂质能级,该能级是 ,离 近。( )? 施主能级,导带底|施主能级,价带顶|受主能级,导带底|受主能级,价带顶
3.
表面态中能级位于费米能级以上时,该表面态为() 选项: A:受主态 B:施主态 C:电中性 D:界面态
4.
以下说法正确的是()选项: A:施主能级被电子占据时呈电中性; B:受主能级被电子占据时呈电中性; C:P型半导体的费米能级略低于导带底部; D:N型半导体的费米能级略高于价带顶部
5.
对于p型半导体,费米能级随受主杂质掺杂浓度的变化情况为?A.费米能级随掺杂浓度的增加向 价带顶 移动B.费米能级随掺杂浓度的增加向 导带底 移动C.费米能级随掺杂浓度的增加向 禁带中线 移动D.费米能级随掺杂浓度的增加向 施主能级 移动
6.
P型半导体的界面态是( )。选项: A:施主型; B:受主型; C:可以是施主型,也可以是受主型; D:施主型受主型都有
7.
对于受主型能级,无电子填充时表面态是 的,有电子填充时表面态是 的()。选项: A:电中性,带正电; B:带负电,电中性; C:电中性,带负电; D:带正电,电中性
8.
当表面能级低于半导体的费米能级,即为受主表面能能级时,从半导体内部俘获电子而带负电,内层带正电在表面附近形成表面空间电荷层。()
9.
当表面能级低于半导体的费米能级,即为受主表面能能级时,从半导体内部俘获电子而带负电,内层带正电在表面附近形成表面空间电荷层。( ) A: 错 B: 对
10.
p型半导体的受主能级,在能级结构中处于选项: A:满带中; B:导带中; C:禁带中,接近导带底部。; D:禁带中,接近满带顶部。
11.
中国大学MOOC: 真实半导体表面的内表面能级为慢态,外表面能级为快态。()
12.
p型的MOS结构半导体表面处于反型区时,空间电荷是 的,为 ( )。选项: A:正,电离施主杂质; B:正,电离施主杂质和空穴; C:负,电离受主杂质; D:负,电离受主杂质和电子
13.
对于p型半导体,费米能级随掺杂浓度的变化情况为: 选项: A、费米能级随掺杂浓度的增加向禁带中线移动 B、费米能级随掺杂浓度的增加向价带顶移动 C、费米能级随掺杂浓度的增加向导带底移动 D、费米能级随掺杂浓度的增加向施主能级移动
14.
以下说法不正确的是( )。选项: A:对n型半导体,随着施主浓度ND的增加,费米能级EF从禁带中线逐渐向导带底方向靠近。; B:对p型半导体,随着受主浓度NA的增加,费米能级EF从禁带中线逐渐向价带顶方向靠近。; C:杂质半导体中载流子浓度和费米能级EF的位置由杂质浓度所决定,与温度无关。; D:在杂质半导体中,费米能级EF的位置不但反映了半导体的导电类型,而且还反映了半导体的掺杂水平。
15.
室温下,对于一块p型半导体,如 (1)向其中继续加入施主杂质,费米能级在禁带中的位置将向____移,导带中的电子浓度____、价带中的电子浓度____; (2)向其中继续加入受主杂质,费米能级在禁带中的位置将向____移,导带中的电子浓度____、价带中的电子浓度____; (3)升高温度,费米能级将向 移。
16.
p型半导体中杂质原子所形成的局部能级(也称受主能级),在能带结构中应处于选项: A:禁带中,但接近满带顶 B:禁带中,但接近导带底 C:导带中 D:满带中 满带中
17.
实用光电阴极多采用如下的哪一种半导体结构:选项: A: P型半导体N型表面态,二者形成统一费米能级后,表面的N型区会导致表面处的能带向下弯曲,使结构整体的电子亲和势(表面势垒)等效降低,有利于光电子的逸出; ; B: N型半导体P型表面态,二者形成统一费米能级后,表面附件会形成尖薄的表面势垒,形成隧穿效应,有利于光电子的逸出。 ; C:P型半导体N型表面态,二者形成统一费米能级后,表面附件会形成尖薄的表面势垒,形成隧穿效应,有利于光电子的逸出。; D: N型半导体P型表面态,二者形成统一费米能级后,表面的N型区会导致表面处的能带向下弯曲,使结构整体的电子亲和势(表面势垒)等效降低,有利于光电子的逸出;
18.
实用光电阴极多采用如下的哪一种半导体结构:选项: A:P型半导体N型表面态,二者形成统一费米能级后,表面的N型区会导致表面处的能带向下弯曲,使结构整体的电子亲和势(表面势垒)等效降低,有利于光电子的逸出;; B: N型半导体P型表面态,二者形成统一费米能级后,表面附件会形成尖薄的表面势垒,形成隧穿效应,有利于光电子的逸出;; C:P型半导体N型表面态,二者形成统一费米能级后,表面附件会形成尖薄的表面势垒,形成隧穿效应,有利于光电子的逸出;; D:N型半导体P型表面态,二者形成统一费米能级后,表面的N型区会导致表面处的能带向下弯曲,使结构整体的电子亲和势(表面势垒)等效降低,有利于光电子的逸出。
19.
单电子原子轨道能级只受主量子数n的影响。选项: A:正确; B:错误
20.
对于非简并n型半导体,如果杂质浓度一定,则随着温度的升高,EF将逐渐远离( )。 选项: A、禁带中央 B、导带底 C、价带顶 D、受主能级
21.
n型半导体导带的有效状态密度Nc=1.0×1019/cm3,施主原子的浓度为ND=1.0×1021/cm3,导带的最低能级为1.10eV,施主原子的局域能级为1.00eV,求该n型半导体导带中的电子浓度和费米能级,k=8.6×10-5eV/K,T=300K,假定价带顶的能级为0.0eV。()
22.
P型半导体中的掺杂杂质是: 选项: A、施主 B、受主
23.
以下哪种情况下,半导体为N型的?选项: A:本征半导体中掺入施主杂质。; B:本征半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度大于受主浓度。; C:本征半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度小于受主浓度。; D:本征半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度等于受主浓度。; E:本征半导体中掺入受主杂质。
24.
A1/A2型题 入射光子激发原子从高能级跃迁到低能级时所发生的光辐射称为什么() 选项: A、激发 B、折射 C、受激辐射 D、辐射 E、自发辐射
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