硅晶体中掺入硼原子，会引入杂质能级，该能级是 ，离 近。（ ）? 施主能级，导带底|施主能级，价带顶|受主能级，导带底|受主能级，价带顶
发布时间：2024-06-15 20:52:56
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- 1.硅晶体中掺入硼原子，会引入杂质能级，该能级是 ，离 近。（ ）选项： A:施主能级，导带底; B:施主能级，价带顶; C:受主能级，导带底; D:受主能级，价带顶
- 2.硅表面能级由靠近导带的施主能级和靠近价带的受主能级组成。 选项： A、正确 B、错误
- 3. 下列关于外光电效应表述正确的是：选项： A:对于本征半导体，电子从价带顶跃迁到导带所需最小能量为带隙与电子亲和势的能量之和；; B:对于本征半导体，电子从价带顶跃迁到导带所需最小能量为带隙的能量；; C:对于N型半导体，电子从施主能级跃迁到导带所需的最小能量为导带底与施主能级的能量之差；; D:对于P型掺杂半导体，电子从价带跃迁到受主能级所需的最小能量为受主能级与价带顶的能量之差。
- 4. n型半导体导带的有效状态密度Nc=1.0×1019/cm3,施主原子的浓度为ND=1.0×1021/cm3,导带的最低能级为1.10eV，施主原子的局域能级为1.00eV，求该n型半导体导带中的电子浓度和费米能级，k=8.6×10-5eV/K，T=300K，假定价带顶的能级为0.0eV。（）
- 5.室温下，对于一块p型半导体，如 （1）向其中继续加入施主杂质,费米能级在禁带中的位置将向____移,导带中的电子浓度____、价带中的电子浓度____; （2）向其中继续加入受主杂质,费米能级在禁带中的位置将向____移,导带中的电子浓度____、价带中的电子浓度____； （3）升高温度，费米能级将向 移。
- 6.对于非简并n型半导体，如果杂质浓度一定，则随着温度的升高，EF将逐渐远离（ ）。 选项： A、禁带中央 B、导带底 C、价带顶 D、受主能级
- 7.Au在Si半导体中是有效的复合中心，既能起施主作用，又能起受主作用。但是在n型Si中，只有（ ）起作用选项： A:施主能级; B:受主能级; C:禁带中央能级; D:费米能级
- 8.真实表面既有受主型能级又有施主型能级，而清洁表面只有受主型能级。（）
- 9.【单选题】n型半导体导带的有效状态密度 Nc=1.01019/cm3, 施主原子的浓度为ND=1.01021/cm3,导带的最低能级为1.10 eV，施主原子的局域能级为1.00 eV，求该n型半导体导带中的电子浓度和费米能级，k=8.610-5eV/K，T=300K，假定价带顶的能级为0.0 eV。（ ） A.2.371019/cm3 , 0.56eV B.1.441019/cm3 , 0.44
- 10.随着温度的升高，p型半导体的费米能（ ）。选项： A:从导带底部能级向禁带中央变化; B:从导带顶部能级向禁带中央变化; C:从价带顶部能级向禁带中央变化; D:从价带底部能级向禁带中央变化
- 11.深能级指能量很靠近导带底的电子束缚态，或能量很接近价带顶的空穴束缚态。
- 12.施主能级和导带底之间的能量差，称为施主电离能,。 选项：A、正确B、错误
- 13.半导体量子点与其体材的能带有所不同：选项： A:禁带宽度展宽了; B:禁带宽度缩小了; C:禁带宽度不变; D:导带为分立能级; E:导带、价带均为连续能级; F:导带、价带均为分立能级
- 14.对于硅半导体，当施主杂质能级与费米能级重合时，则未电离施主杂质与已电离施主杂质的比值为__________。
- 15.表面态中能级位于费米能级以上时，该表面态为（ ）。选项： A:施主态; B:受主态; C:电中性; D:界面态
- 16.硅晶体中的费米能级向高能级移动，可能对应以下情况发生选项： A:导带电子浓度增加 B:价带空穴浓度增加 C:导带有效态密度Nc减少 D:导带有效态密度Nc增加
- 17.n型半导体导带的有效状态密度 Nc=1.0×1019/cm3, 施主原子的浓度为ND=1.0×1021/cm3,导带的最低能级为1.10 eV，施主原子的局域能级为1.00 eV，求该n型半导体导带中的电子浓度和费米能级，k=8.6×10-5eV/K，T=300K，假定价带顶的能级为0.0 eV。（ ） 选项： A、1.44×1019/cm3 , 0.56eV B、2.37×1019/cm3 , 0.56eV C、2.37×1019/cm3 , 0.44eV D、1.44×1019/cm3 , 0.44eV
- 18.n型半导体导带的有效状态密度 Nc=1.0×1019/cm3, 施主原子的浓度为ND=1.0×1021/cm3,导带的最低能级为1.10 eV，施主原子的局域能级为1.00 eV，求该n型半导体导带中的电子浓度和费米能级，k=8.6×10-5eV/K，T=300K，假定价带顶的能级为0.0 eV。（ ）选项： A:1.44×1019/cm3 , 0.56eV B:2.37×1019/cm3 , 0.44eV C:2.37×1019/cm3 , 0.56eV D:1.44×1019/cm3 , 0.44eV
- 19.当施主能级ED与费米能级EF重合时，电离施主杂质的浓度为未电离施主杂质浓度的_________倍。
- 20.半导体中载流子电子浓度等于（ ） 选项：A、导带量子态密度乘以电子占据能级的概率 B、导带量子态密度乘以电子占据能级的概率并在导带积分的结果 C、导带量子态密度乘以电子占据能级的概率除以晶体体积 D、B的结果除以晶体体积
