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当表面能级低于半导体的费米能级,即为受主表面能能级时,从半导体内部俘获电子而带负电,内层带正电在表面附近形成表面空间电荷层。( )
A: 错
B: 对
发布时间:
2024-06-15 21:03:43
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1.
对于受主型能级,无电子填充时表面态是 的,有电子填充时表面态是 的()。选项: A:电中性,带正电; B:带负电,电中性; C:电中性,带负电; D:带正电,电中性
2.
以下对p型衬底的MIS结构的临界强反型状态描述错误的是( ) 选项: A、表面处费米能级与本征费米能级重合 B、表面处费米能级处于本征费米能级与导带底能级的中央 C、表面处费米能级与本征费米能级之差与体内处本征费米能级与费米能级之差相等 D、表面势等于费米势的两倍 E、表面反型电子浓度等于体内空穴浓度
3.
以下说法正确的是()选项: A:施主能级被电子占据时呈电中性; B:受主能级被电子占据时呈电中性; C:P型半导体的费米能级略低于导带底部; D:N型半导体的费米能级略高于价带顶部
4.
中国大学MOOC: 真实半导体表面的内表面能级为慢态,外表面能级为快态。()
5.
实用光电阴极多采用如下的哪一种半导体结构:选项: A:P型半导体N型表面态,二者形成统一费米能级后,表面的N型区会导致表面处的能带向下弯曲,使结构整体的电子亲和势(表面势垒)等效降低,有利于光电子的逸出;; B: N型半导体P型表面态,二者形成统一费米能级后,表面附件会形成尖薄的表面势垒,形成隧穿效应,有利于光电子的逸出;; C:P型半导体N型表面态,二者形成统一费米能级后,表面附件会形成尖薄的表面势垒,形成隧穿效应,有利于光电子的逸出;; D:N型半导体P型表面态,二者形成统一费米能级后,表面的N型区会导致表面处的能带向下弯曲,使结构整体的电子亲和势(表面势垒)等效降低,有利于光电子的逸出。
6.
P-Sub的理想MOS结构在耗尽时,半导体表面空间电荷区的电荷主要是带负电的受主离子,此时半导体表面可以导电 选项: A、正确 B、错误
7.
目前公认的光电阴极完成光电子发射包括哪些物理过程?选项: A:来自景物的光子激发光电阴极材料中的电子产生电子空穴对,在半导体内形成自由电子;; B:自由电子在半导体材料中运动向半导体材料表面迁移,伴有一定的能量损失; C:由于能量的损失,到达表面的部分电子能量低于真空能级,电子无法逸出到真空中; D:到达表面的电子剩余能量高于真空能级电子逸出表面成为真空中的光电子
8.
当温度一定时,杂质半导体的费米能级主要由什么因素决定?试把强n,弱n型半导体与强p,弱p半导体的费米能级与本征半导体的费米能级比较。
9.
对于p型半导体,费米能级随受主杂质掺杂浓度的变化情况为?A.费米能级随掺杂浓度的增加向 价带顶 移动B.费米能级随掺杂浓度的增加向 导带底 移动C.费米能级随掺杂浓度的增加向 禁带中线 移动D.费米能级随掺杂浓度的增加向 施主能级 移动
10.
随着温度的升高,p型半导体的费米能( )。选项: A:从导带底部能级向禁带中央变化; B:从导带顶部能级向禁带中央变化; C:从价带顶部能级向禁带中央变化; D:从价带底部能级向禁带中央变化
11.
随着温度的升高,P型半导体的费米能() 选项: A:从导带底部能级向禁带中央变化 B:从导带顶部能级向禁带中央变化 C:从价带顶部能级向禁带中央变化 D:从价带底部能级向禁带中央变化
12.
随着温度的升高,p型半导体的费米能( ) 选项: A、从导带底部能级向禁带中央变化 B、从导带顶部能级向禁带中央变化 C、从价带顶部能级向禁带中央变化 D、从价带底部能级向禁带中央变化
13.
室温下,对于一块p型半导体,如 (1)向其中继续加入施主杂质,费米能级在禁带中的位置将向____移,导带中的电子浓度____、价带中的电子浓度____; (2)向其中继续加入受主杂质,费米能级在禁带中的位置将向____移,导带中的电子浓度____、价带中的电子浓度____; (3)升高温度,费米能级将向 移。
14.
n型半导体,随着施主浓度ND的增加,费米能级从禁带中线逐渐移向_____方向。
15.
p型半导体的受主能级,在能级结构中处于选项: A:满带中; B:导带中; C:禁带中,接近导带底部。; D:禁带中,接近满带顶部。
16.
n型半导体费米能级EF不仅随温度变化,还随掺杂的浓度而变化,当n型杂质浓度增加,其费米能级逐渐向( )靠拢选项: A:禁带中线; B:导带底部; C:价带顶部; D:导带顶部
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