Au在Si半导体中是有效的复合中心，既能起施主作用，又能起受主作用。但是在n型Si中，只有（ ）起作用
选项：
A:施主能级;
B:受主能级;
C:禁带中央能级;
D:费米能级
发布时间：2024-06-15 21:08:08
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Au在Si半导体中是有效的复合中心，既能起施主作用，又能起受主作用。但是在n型Si中，只有（ ）起作用
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- 1.真实表面既有受主型能级又有施主型能级，而清洁表面只有受主型能级。（）
- 2.室温下，n-Si中的电子浓度为空穴浓度的10000倍，则其费米能级位于（ ）。选项： A:禁带中线之下; B:禁带中线; C:禁带中线之上; D:施主能级
- 3.以下说法不正确的是（ ）。选项： A:对n型半导体，随着施主浓度ND的增加，费米能级EF从禁带中线逐渐向导带底方向靠近。; B:对p型半导体，随着受主浓度NA的增加，费米能级EF从禁带中线逐渐向价带顶方向靠近。; C:杂质半导体中载流子浓度和费米能级EF的位置由杂质浓度所决定，与温度无关。; D:在杂质半导体中，费米能级EF的位置不但反映了半导体的导电类型，而且还反映了半导体的掺杂水平。
- 4.在半导体硅中杂质P起施主作用；Al起受主作用，同时含磷和铝，但铝浓度高的Si是p型半导体。（ ）选项： A:对 B:错
- 5.随着温度的升高,P型半导体的费米能() 选项： A:从导带底部能级向禁带中央变化 B:从导带顶部能级向禁带中央变化 C:从价带顶部能级向禁带中央变化 D:从价带底部能级向禁带中央变化
- 6.对于硅半导体，当施主杂质能级与费米能级重合时，则未电离施主杂质与已电离施主杂质的比值为__________。
- 7. 下列关于外光电效应表述正确的是：选项： A:对于本征半导体，电子从价带顶跃迁到导带所需最小能量为带隙与电子亲和势的能量之和；; B:对于本征半导体，电子从价带顶跃迁到导带所需最小能量为带隙的能量；; C:对于N型半导体，电子从施主能级跃迁到导带所需的最小能量为导带底与施主能级的能量之差；; D:对于P型掺杂半导体，电子从价带跃迁到受主能级所需的最小能量为受主能级与价带顶的能量之差。
- 8. p型半导体中杂质原子所形成的局部能级(也称受主能级)，在能带结构中应处于选项： A:禁带中，但接近满带顶 B:禁带中，但接近导带底 C:导带中 D:满带中 满带中
- 9.已知Si中掺有硼杂质，且掺杂浓度为1017/cm3，则这是 型半导体，该半导体的费米能级在禁带中线的 选项： A:N，上方; B:P，上方; C:P，下方; D:N ，下方
- 10.已知Si中掺有硼杂质，且掺杂浓度为1017/cm3，则这是 型半导体，该半导体的费米能级在禁带中线的 选项： A、N，上方 B、P，上方 C、P，下方 D、N ，下方
- 11.n型半导体费米能级EF不仅随温度变化，还随掺杂的浓度而变化，当n型杂质浓度增加，其费米能级逐渐向（ ）靠拢选项： A:禁带中线; B:导带底部; C:价带顶部; D:导带顶部
- 12.当表面能级低于半导体的费米能级，即为受主表面能能级时，从半导体内部俘获电子而带负电，内层带正电在表面附近形成表面空间电荷层。（ ） A: 错 B: 对
- 13.当施主能级ED与费米能级EF相等时，电离施主的浓度为施主浓度的（ ）倍。选项： A:1/2; B:1/3; C:1/4; D:1/5
- 14.当温度一定时，杂质半导体的费米能级主要由什么因素决定？试把强n，弱n型半导体与强p，弱p半导体的费米能级与本征半导体的费米能级比较。
