以下对于GaN描述错误的是选项: A:高载流子迁移率; B:可以制备成高频和大功率器件; C:是宽禁带半导体,可以生长在SiC上; D:霍尔迁移率随着温度的增加而增加 大功率 载流子 发布时间:2024-03-30 08:18:37