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对GaAs性质描述不正确的是
选项:
A:电子迁移率高;
B:带隙比较宽,工作温度高;
C: 制备过程无毒 ;
D: 理想的光伏材料
工作温度
发布时间:
2024-03-30 08:18:37
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1.
以下对于GaAs材料描述错误的是 A: 电子迁移率高,适合做高频器件 B: 晶体结构为纤锌矿结构 C: 带隙大可以做高温器件 D: 是直接带隙,光电转换效率高
2.
硅是间接带隙半导体材料、GaAs和CdTe均是直接带隙材料
3.
硅是间接带隙半导体材料、GaAs和CdTe均是直接带隙材料
4.
半导体材料带隙越大,所制备的器件可耐受更大功率,工作温度更高。( )选项: A:对 B:错
5.
晶体硅和GaAs都是直接带隙半导体材料。( )选项: A:对 B:错
6.
制造霍尔元件的半导体材料中,目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟,其原因是这些( )。 选项: A、半导体材料的电阻率大 B、半导体中电子迁移率比空穴高 C、半导体材料的电子迁移率比较大 D、N型半导体材料教适宜制造灵敏度高的霍尔元件
7.
制造霍尔元件的半导体材料中,目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟,其原因是这些( )。选项: A:半导体材料的电阻率大; B:半导体中电子迁移率比空穴高; C:半导体材料的电子迁移率比较大; D:N型半导体材料教适宜制造灵敏度高的霍尔元件
8.
以下对于GaN描述错误的是选项: A:高载流子迁移率; B:可以制备成高频和大功率器件; C:是宽禁带半导体,可以生长在SiC上; D:霍尔迁移率随着温度的增加而增加
9.
(多选)以下的半导体材料中,_____为直接带隙半导体材料选项: A:Si; B:Ge ; C:GaAs; D:ZnO
10.
制造霍尔元件的半导体材料中,目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟,其原因是这些( )。选项: A:半导体材料的霍尔常数比金属的大 B:半导体中电子迁移率比空穴高 C:半导体材料的电子迁移率比较大 D:N型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件
11.
已知半导体材料GaAs的带隙Eg=1.43eV,则由该材料组成的半导体材料的发射波长是 微米。
12.
制造霍尔元件的半导体材料中,目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟,其原因是这些( )。 选项: A:半导体中电子迁移率比空穴高 B:半导体材料的霍尔常数比金属的大 C:半导体材料的电子迁移率比较大 D:N型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件
13.
制造霍尔元件的半导体材料中,目前使用较多的是锗、锑化铟、砷化铟,其原因是( )选项: A:半导体材料的霍尔常数比金属的大 B:半导体中电子迁移率比空穴高 C:半导体材料的电子迁移率比较大 D:N型半导体材料比较适宜制造灵敏度比较高的霍尔元件。
14.
制造霍尔元件的半导体材料中,目前应用较多的是锗、锑化铟、砷化铟,其原因是这些( )。 选项: A、半导体材料的霍尔常数比金属大 B、半导体中电子的迁移率比空穴高 C、半导体材料的电子迁移率比较大 D、N型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件
15.
下列关于光子带隙型光子晶体光纤的论述错误的是? 选项: A、非线性阈值以及损伤阈值高,可实现高功率导光 B、由于纤芯为空芯结构,可用于高灵敏传感中 C、可用于气体光学中 D、光子带隙型光子晶体光纤的传感探测效率比全内反射型光子晶体光纤的低
16.
III-V族化合物半导体材料与传统的半导体Si材料相比,具有的特点包括:带隙较大、直接跃迁型能带、电子迁移效率高。( )选项: A:对 B:错
17.
同种半导体材料在相同温度下电子的迁移率比空穴的迁移率小。
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