以下对于GaN描述错误的是 选项: A:高载流子迁移率 B:可以制备成高频和大功率器件 C:是宽禁带半导体,可以生长在SiC上 D:霍尔迁移率随着温度的增加而增加 大功率 载流子 发布时间:2024-03-30 08:18:37