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相关试题
- 1.以下对于GaAs材料描述错误的是 A: 电子迁移率高，适合做高频器件 B: 晶体结构为纤锌矿结构 C: 带隙大可以做高温器件 D: 是直接带隙，光电转换效率高
- 2.有关直接和间接带隙半导体材料说法正确的是？选项： A:GaN属于直接带隙半导体材料; B:直接带隙半导体材料通常用于制作光探测器件; C:间接带隙半导体材料通常用于制作发光器件; D:直接带隙半导体材料在能级跃迁过程中有声子参与
- 3.硅是间接带隙半导体材料、GaAs和CdTe均是直接带隙材料
- 4.GaN材料作为直接带隙，可以制备成蓝光发光器件。
- 5.对于II-VI族半导体描述错误的是 选项： A、有毒 B、直接带隙半导体 C、有闪锌矿和纤锌矿两种结构 D、禁带宽度随着原子序数的增加而增加
- 6.（多选）以下的半导体材料中，_____为直接带隙半导体材料选项： A:Si; B:Ge ; C:GaAs; D:ZnO
- 7.下列哪种材料是直接带隙半导体材料( )A．SiB．GeC．GaAs
- 8.以下对于GaN描述错误的是选项： A:高载流子迁移率; B:可以制备成高频和大功率器件; C:是宽禁带半导体，可以生长在SiC上; D:霍尔迁移率随着温度的增加而增加
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9.GaP是一种间接带隙半导体材料,不能用于发光器件。(
) - 10.下列关于光子带隙型光子晶体光纤特性的论述，错误的是？选项： A:光子带隙型光子晶体光纤易与其他器件耦合，无菲涅尔反射; B:光子带隙型光子晶体光纤具有低弯曲损耗特性; C:光子带隙型光子晶体光纤具有特殊的波导色散; D:光子带隙型光子晶体光纤具有高非线性
- 11.下列关于光子带隙型光子晶体光纤特性的论述，错误的是？? 光子带隙型光子晶体光纤易与其他器件耦合，无菲涅尔反射|光子带隙型光子晶体光纤具有高非线性|光子带隙型光子晶体光纤具有特殊的波导色散|光子带隙型光子晶体光纤具有低弯曲损耗特性
- 12.下列关于光子带隙型光子晶体光纤特性的论述，错误的是？? 光子带隙型光子晶体光纤易与其他器件耦合，无菲涅尔反射光子带隙型光子晶体光纤具有高非线性光子带隙型光子晶体光纤具有特殊的波导色散光子带隙型光子晶体光纤具有低弯曲损耗特性
- 13.下列关于光子带隙型光子晶体光纤特性的论述，错误的是？? 光子带隙型光子晶体光纤具有高非线性光子带隙型光子晶体光纤易与其他器件耦合，无菲涅尔反射光子带隙型光子晶体光纤具有低弯曲损耗特性光子带隙型光子晶体光纤具有特殊的波导色散
- 14.下列关于光子带隙型光子晶体光纤特性的论述，错误的是？A．光子带隙型光子晶体光纤易与其他器件耦合，无菲涅尔反射B．光子带隙型光子晶体光纤具有低弯曲损耗特性C．光子带隙型光子晶体光纤 具有特殊的波导色散D．光子带隙型光子晶体光纤具有高非线性
- 15.降低高能光子能量损失应采用高带隙的光电半导体材料。 选项： A:正确 B:错误
- 16.从能带角度来看，锗、硅属于_________半导体，而砷化稼属于_________半导体，后者有利于光子的吸收和发射。（ ）选项： A:间接带隙，间接带隙 B:间接带隙，直接带隙 C:直接带隙，直接带隙 D:直接带隙，间接带隙
- 17.什么是直接带隙半导体和间接带隙半导体？载流子的有效质量是如何定义的？载流子迁移率与哪些因素相关？
- 18.III-V族化合物半导体材料与传统的半导体Si材料相比，具有的特点包括：带隙较大、直接跃迁型能带、电子迁移效率高。（ ）选项： A:对 B:错
- 19.半导体材料带隙越大，所制备的器件可耐受更大功率，工作温度更高。（ ）选项： A:对 B:错
- 20.以下对于硅材料的性质的描述正确的是选项： A:硅材料是直接带隙，可以做发光管和激光器; B:高纯硅可以吸收红外光; C:硅是脆性材料，可加工性差; D:本征硅的热导率随着温度的增加而增加。
- 21.砷化镓是直接带隙半导体材料
- 22.锌黄锡矿型铜锌锡硫属于（ ）半导体，带隙约为（ ）。选项： A:间接带隙，1.0 eV左右; B:直接带隙, 1.0 eV左右; C:间接带隙, 1.45-1.50 eV; D:直接带隙, 1.45-1.50 eV
- 23.砷化镓是直接带隙半导体材料选项： A:对 B:错
