以下对于GaAs材料描述错误的是 A: 电子迁移率高,适合做高频器件 B: 晶体结构为纤锌矿结构 C: 带隙大可以做高温器件 D: 是直接带隙,光电转换效率高 描述 效率高 晶体结构 发布时间:2024-03-30 08:18:37