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C: 对于非简并半导体,导带底或价带顶附近的状态密度与能量的关系为:
发布时间:
2024-06-15 21:09:48
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1.
对于非简并n型半导体,如果杂质浓度一定,则随着温度的升高,EF将逐渐远离( )。 选项: A、禁带中央 B、导带底 C、价带顶 D、受主能级
2.
禁带宽度(能隙、带隙)是导带底与价带顶能量之差。
3.
关于简并半导体的说法,正确的是:( )。 选项: A、服从费米统计率的电子系统是非简并系统 B、当掺杂水平很高,N
D
(N
A
)很大,使半导体的费米能级E
F
进入导带(价带),不再用玻尔兹曼分布描述导带电子(价带空穴)的分布,这种情况称为载流子的简并化,发生载流子简并化的半导体叫做简并半导体。 C、若E
F
进入了导带,说明P型杂质掺杂水平很高,以及导带底附近的量子态基本被电子占据。 D、若EF进入了价带,说明N型杂质掺杂水平很高,以及价带顶附近的量子态基本被空穴占据。
4.
简并半导体是指()的半导体。A.(EC-EF.或(EF-EV)≤0B.(EC-EF.或(EF-EV)≥0C.能使用玻耳兹曼近似计算载流子浓度D.导带底和价带顶能容纳多个状态相同的电子
5.
禁带宽度是导带底与价带顶之间的能量之( )。 选项: A、和 B、差 C、积 D、商
6.
载流子跃迁前后在( )所对应的波数(ke)与价带顶所对应波数(kh) 相同的能隙类型称为直接能隙,相应的半导体称为直接能隙半导体。选项: A:导带底; B:导带顶; C:禁带中; D:禁带外
7.
下列关于PN结的能带的说法,错误的是 ( )。 选项: A: 能量低的能带称为价带 B: 能量高的能带称为导带 C: 禁带宽度是导带底能量和价带顶的能量差 D: 电子可以占据禁带
8.
EF-EC≥0的半导体叫简并半导体,其施主浓度高于导带底等效态密度。( ) 选项: A、错 B、对
9.
7. 简并半导体是指( )的半导体。A. (Ec-EF)或(EF-Ev)≤0 B. (Ec-EF)或(EF-Ev)≥0C. 能使用玻尔兹曼近似计算载流子浓度D. 导带底和价带顶能容纳多个状态相同的电子 选项: A、A B、B C、C D、D
10.
对于宽带隙的半导体,激发电子从价带进入导带需要更低的能量。( )选项: A:对 B:错
11.
硅晶体中掺入硼原子,会引入杂质能级,该能级是 ,离 近。( )? 施主能级,导带底|施主能级,价带顶|受主能级,导带底|受主能级,价带顶
12.
半导体材料中的发光主要是导带和价带之间的跃迁,发射的光子能量等于半导体的禁带宽度。()
13.
一种半导体E(k)曲线的导带底曲率大于其价带顶曲率,由此知其电子有效质量________于空穴有效质量,其本征费米能级位于禁带中间偏________。
14.
当半导体的平衡遭到破坏,导带和价带中的电子也处于不平衡状态。( )选项: A:正确; B:错误
15.
n型半导体导带的有效状态密度Nc=1.0×1019/cm3,施主原子的浓度为ND=1.0×1021/cm3,导带的最低能级为1.10eV,施主原子的局域能级为1.00eV,求该n型半导体导带中的电子浓度和费米能级,k=8.6×10-5eV/K,T=300K,假定价带顶的能级为0.0eV。()
16.
本征半导体的特征是?选项: A:导带的电子浓度等于价带的空穴浓度。; B:导带的电子浓度大于价带的空穴浓度。; C:导带的电子浓度小于价带的空穴浓度。; D:电子浓度和空穴浓度均为0。
17.
一种半导体E(k)曲线的导带底曲率大于其价带顶曲率,由此知其电子有效质量小于空穴有效质量,其电子迁移率大于空穴迁移率。( ) A: 对 B: 错
18.
一种半导体E(k)曲线的导带底曲率大于其价带顶曲率,由此知其电子有效质量小于空穴有效质量,其电子迁移率大于空穴迁移率。( )选项: A:对 B:错
19.
【单选题】n型半导体导带的有效状态密度 Nc=1.01019/cm3, 施主原子的浓度为ND=1.01021/cm3,导带的最低能级为1.10 eV,施主原子的局域能级为1.00 eV,求该n型半导体导带中的电子浓度和费米能级,k=8.610-5eV/K,T=300K,假定价带顶的能级为0.0 eV。( ) A.2.371019/cm3 , 0.56eV B.1.441019/cm3 , 0.44
20.
n型半导体,随着掺杂浓度减少,费米能级( )。选项: A:向导带底靠近; B:向下朝禁带中央靠近; C:向下朝价带顶靠近; D:向上朝禁带中央靠近
21.
在满带之上,能量较高,且可以是部分填充电子或全空的能带( )。 选项: A:价带 B:导带 C:禁带 D:空带
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