下列关于PN结的能带的说法，错误的是 （ ）。
选项：
A: 能量低的能带称为价带
B: 能量高的能带称为导带
C: 禁带宽度是导带底能量和价带顶的能量差
D: 电子可以占据禁带
发布时间：2024-06-04 20:07:07
请在 下方输入 要搜索的题目：
下列关于PN结的能带的说法，错误的是 （ ）。
推荐参考答案 (
由 搜题小帮手 官方老师解答 )
答案：
以下文字与答案无关
提示：有些试题内容 显示不完整,文字错误 或者 答案显示错误等问题，这是由于我们在扫描录入过程中 机器识别错误导致,人工逐条矫正总有遗漏，所以恳请 广大网友理解。
相关试题
- 1. 禁带宽度（能隙、带隙）是导带底与价带顶能量之差。
- 2.能带和能带间不能有电子填充的叫 选项： A:禁带; B:导带; C:价带; D:空带
- 3.禁带宽度时导带底与价带顶之间的能量之( )
- 4.在能带结构中,电子能量不能存在的能量范围是______。A.空带B.价带C.禁带D.满带
- 5.在半导体的能带结构中，电子填充的最高的满带称为____。 选项： A:导带 B:允带 C:价带 D:禁带
- 6.晶体中没有被电子占满的能带叫做 。 选项： A: 价带 B: 导带 C: 禁带39 D: 满带
- 7.禁带宽度是导带底与价带顶之间的能量之（ ）。 选项： A、和 B、差 C、积 D、商
- 8.当光子能量低于半导体禁带宽度时，电子仍然可以吸收光子能量从价带跃迁到导带。选项： A:对 B:错
- 9.载流子跃迁前后在（ ）所对应的波数(ke)的位置与价带顶所对应波数(kh)不同的能隙类型称为间接能隙，相应的半导体称为间接能隙半导体。选项： A:导带底; B:导带顶; C:禁带中; D:禁带外
- 10.以下说法正确的是选项： A:价带肯定是满带; B:导带肯定是空带; C:禁带宽度的单位是长度单位; D:Ev是指价带顶; E:Ec是指导带底
- 11.以下说法正确的是选项： A:价带肯定是满带; B:导带肯定是空带; C:禁带宽度的单位是长度单位; D:Ev是指价带顶; E:Ec是指导带底
- 12.以下材料属于导体的是：选项： A:价带未填满 ; B:满的价带与空的导带间的禁带宽 ; C:满带与空带重叠 ; D:满的价带与空的导带间的禁带较小
- 13.下列哪种材料的价带是满带，但禁带宽度为零，价带和较高的空带相交叠，满带中的电子能占据空带（ ）。 选项： A、Mg B、Si C、Ge D、SiC
- 14.下列哪种材料的价带是满带，但禁带宽度为零，价带和较高的空带相交叠，满带中的电子能占据空带（ ）。选项： A:Ge B:Si C:Mg D:SiC
- 15.随着温度的升高,P型半导体的费米能() 选项： A:从导带底部能级向禁带中央变化 B:从导带顶部能级向禁带中央变化 C:从价带顶部能级向禁带中央变化 D:从价带底部能级向禁带中央变化
- 16.绝缘体的导电性差，是因为选项： A:价带为满带; B:禁带宽度大; C:禁带宽度小; D:价带为导带
- 17.随着温度的升高，p型半导体的费米能( ) 选项： A、从导带底部能级向禁带中央变化 B、从导带顶部能级向禁带中央变化 C、从价带顶部能级向禁带中央变化 D、从价带底部能级向禁带中央变化
- 18.按照能量最低原理，所有的电子依次填入相应的能带中，填充电子后的能量最高的满带称为——，能量最低的空带称为——。
- 19.晶体中电子能级分裂形成一系列能带，满足电子能量E与波数k之关系方程的能量区域称作（ ）.A．允带B．满带C．禁带D．空带
- 20. p型半导体中杂质原子所形成的局部能级(也称受主能级)，在能带结构中应处于选项： A:禁带中，但接近满带顶 B:禁带中，但接近导带底 C:导带中 D:满带中 满带中
- 21.电子占据了一个能带中所有的状态,称该能带为A．空带B．导带C．满带D．带隙
- 22.不能填充电子的能区称为……… ( )选项： A:满带 B:空带 C:禁带 D:导带
