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禁带宽度(能隙、带隙)是导带底与价带顶能量之差。
宽度
之差
发布时间:
2024-06-04 20:08:10
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1.
载流子跃迁前后在( )所对应的波数(ke)的位置与价带顶所对应波数(kh)不同的能隙类型称为间接能隙,相应的半导体称为间接能隙半导体。选项: A:导带底; B:导带顶; C:禁带中; D:禁带外
2.
下列关于外光电效应表述正确的是:选项: A:对于本征半导体,电子从价带顶跃迁到导带所需最小能量为带隙与电子亲和势的能量之和;; B:对于本征半导体,电子从价带顶跃迁到导带所需最小能量为带隙的能量;; C:对于N型半导体,电子从施主能级跃迁到导带所需的最小能量为导带底与施主能级的能量之差;; D:对于P型掺杂半导体,电子从价带跃迁到受主能级所需的最小能量为受主能级与价带顶的能量之差。
3.
下列关于PN结的能带的说法,错误的是 ( )。 选项: A: 能量低的能带称为价带 B: 能量高的能带称为导带 C: 禁带宽度是导带底能量和价带顶的能量差 D: 电子可以占据禁带
4.
禁带宽度是导带底与价带顶之间的能量之( )。 选项: A、和 B、差 C、积 D、商
5.
绝缘体的导电性差,是因为选项: A:价带为满带; B:禁带宽度大; C:禁带宽度小; D:价带为导带
6.
随着温度的升高,P型半导体的费米能() 选项: A:从导带底部能级向禁带中央变化 B:从导带顶部能级向禁带中央变化 C:从价带顶部能级向禁带中央变化 D:从价带底部能级向禁带中央变化
7.
以下关于半导体能带特征描述正确的是()选项: A:室温下,硅的禁带宽度约为1.12eV,是直接带隙半导体; B:室温下,锗的禁带宽度约为0.67eV,是直接带隙半导体; C:室温下,砷化镓的禁带宽度约为1.12eV,是直接带隙半导体; D:室温下,硅的禁带宽度约为1.12eV,是间接带隙半导体
8.
硅晶体中掺入硼原子,会引入杂质能级,该能级是 ,离 近。( )? 施主能级,导带底|施主能级,价带顶|受主能级,导带底|受主能级,价带顶
9.
对于宽带隙的半导体,激发电子从价带进入导带需要更低的能量。( )选项: A:对 B:错
10.
以下关于能带说法正确的是 选项: A、价带一定是满带 B、导带一定是空带 C、能带和能带间不能有电子 D、禁带宽度指的是价带到导带的距离
11.
中国大学MOOC: 对于非简并半导体,导带底或价带顶附近的状态密度与能量的关系为:
12.
硅晶体中掺入硼原子,会引入杂质能级,该能级是 ,离 近。( )选项: A:施主能级,导带底; B:施主能级,价带顶; C:受主能级,导带底; D:受主能级,价带顶
13.
电子不能在禁带排布,但是可以越过禁带,从价带跃迁到导带。( )选项: A:对 B:错
14.
半导体材料中的发光主要是导带和价带之间的跃迁,发射的光子能量等于半导体的禁带宽度。()
15.
下列哪种材料的价带是满带,但禁带宽度为零,价带和较高的空带相交叠,满带中的电子能占据空带( )。 选项: A、Mg B、Si C、Ge D、SiC
16.
下列哪种材料的价带是满带,但禁带宽度为零,价带和较高的空带相交叠,满带中的电子能占据空带( )。选项: A:Ge B:Si C:Mg D:SiC
17.
深能级指能量很靠近导带底的电子束缚态,或能量很接近价带顶的空穴束缚态。
18.
本征半导体的特点是()选项: A:电子和空穴浓度相等; B:电子和空穴浓度不相等; C:费米能级处于导带底和价带顶的中间; D:费米能级处于价带底和导带顶的中间。
19.
晶体中没有被电子占满的能带叫做 。 选项: A: 价带 B: 导带 C: 禁带39 D: 满带
20.
对于非简并n型半导体,如果杂质浓度一定,则随着温度的升高,EF将逐渐远离( )。 选项: A、禁带中央 B、导带底 C、价带顶 D、受主能级
21.
在能带结构中,电子能量不能存在的能量范围是______。A.空带B.价带C.禁带D.满带
22.
从能带角度来看,锗、硅属于_________半导体,而砷化稼属于_________半导体,后者有利于光子的吸收和发射。( )选项: A:间接带隙,间接带隙 B:间接带隙,直接带隙 C:直接带隙,直接带隙 D:直接带隙,间接带隙
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