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一种半导体E(k)曲线的导带底曲率大于其价带顶曲率,由此知其电子有效质量________于空穴有效质量,其本征费米能级位于禁带中间偏________。
发布时间:
2024-06-15 21:08:22
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1.
本征半导体的特点是()选项: A:电子和空穴浓度相等; B:电子和空穴浓度不相等; C:费米能级处于导带底和价带顶的中间; D:费米能级处于价带底和导带顶的中间。
2.
已知室温(300K)下硅的禁带宽度 Eg1.12 eV,价带顶空穴和导带底电子的有效质量之比 mp/mn0.55,导带的有效状态密度 NC2.81019/cm3, kT0.026eV,。试计算:1)室温(300K)下,纯净单晶硅的本征费米能级 Ei;2)室温(300K)下,掺磷浓度为 1018/cm3 的 n 型单晶硅的费米能级 EF 。
3.
已知室温(300K)下硅的禁带宽度Eg1.12 eV,价带顶空穴和导带底电子的有效质量之比mp/mn0.55,导带的有效状态密度NC2.81019/cm3, kT0.026 eV,。试计算:1)室温(300K)下,纯净单晶硅的本征费米能级Ei;2)室温(300K)下,掺磷浓度为1018/cm3的n型单晶硅的费米能级EF 。
4.
本征半导体的特征是?选项: A:导带的电子浓度等于价带的空穴浓度。; B:导带的电子浓度大于价带的空穴浓度。; C:导带的电子浓度小于价带的空穴浓度。; D:电子浓度和空穴浓度均为0。
5.
已知室温(300K)下硅的禁带宽度 Eg1.12 eV,价带顶空穴和导带底电子的⏺⏺有效质量之比m* / mn 0.5519 3⏺⏺kT 0.026eV 。试计算:1)室温(300K)下,纯净单晶硅的本征费米能级 Ei;2)室温(300K)下,掺磷浓度为 1016/cm3 的 n 型单晶硅的费米能级 EF。
6.
下列关于外光电效应表述正确的是:选项: A:对于本征半导体,电子从价带顶跃迁到导带所需最小能量为带隙与电子亲和势的能量之和;; B:对于本征半导体,电子从价带顶跃迁到导带所需最小能量为带隙的能量;; C:对于N型半导体,电子从施主能级跃迁到导带所需的最小能量为导带底与施主能级的能量之差;; D:对于P型掺杂半导体,电子从价带跃迁到受主能级所需的最小能量为受主能级与价带顶的能量之差。
7.
下列关于本征半导体,说法正确的有?选项: A:本征半导体是一块没有杂质和缺陷的半导体; B:本征半导体的费米能级位于禁带的中线附近; C:本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度; D:本征半导体的电阻率随温度升高而单调下降
8.
n型半导体导带的有效状态密度Nc=1.0×1019/cm3,施主原子的浓度为ND=1.0×1021/cm3,导带的最低能级为1.10eV,施主原子的局域能级为1.00eV,求该n型半导体导带中的电子浓度和费米能级,k=8.6×10-5eV/K,T=300K,假定价带顶的能级为0.0eV。()
9.
【单选题】n型半导体导带的有效状态密度 Nc=1.01019/cm3, 施主原子的浓度为ND=1.01021/cm3,导带的最低能级为1.10 eV,施主原子的局域能级为1.00 eV,求该n型半导体导带中的电子浓度和费米能级,k=8.610-5eV/K,T=300K,假定价带顶的能级为0.0 eV。( ) A.2.371019/cm3 , 0.56eV B.1.441019/cm3 , 0.44
10.
以下对p型衬底的MIS结构的临界强反型状态描述错误的是( ) 选项: A、表面处费米能级与本征费米能级重合 B、表面处费米能级处于本征费米能级与导带底能级的中央 C、表面处费米能级与本征费米能级之差与体内处本征费米能级与费米能级之差相等 D、表面势等于费米势的两倍 E、表面反型电子浓度等于体内空穴浓度
11.
深能级指能量很靠近导带底的电子束缚态,或能量很接近价带顶的空穴束缚态。
12.
硅晶体中掺入硼原子,会引入杂质能级,该能级是 ,离 近。( )? 施主能级,导带底|施主能级,价带顶|受主能级,导带底|受主能级,价带顶
13.
对于p型半导体,费米能级随受主杂质掺杂浓度的变化情况为?A.费米能级随掺杂浓度的增加向 价带顶 移动B.费米能级随掺杂浓度的增加向 导带底 移动C.费米能级随掺杂浓度的增加向 禁带中线 移动D.费米能级随掺杂浓度的增加向 施主能级 移动
14.
当导带中电子浓度超过了状态密度Nc时,费米能级位于导带内部,称为( )选项: A:n型简并半导体; B:P型简并半导体; C:本征半导体; D:热平衡半导体
15.
随着温度的升高,p型半导体的费米能( ) 选项: A、从导带底部能级向禁带中央变化 B、从导带顶部能级向禁带中央变化 C、从价带顶部能级向禁带中央变化 D、从价带底部能级向禁带中央变化
16.
费米能级位于导带底下方k0T处,则半导体().选项: A:弱简并半导体; B:强简并半导体; C:本征半导体; D:非简并半导体
17.
在P型半导体中,导带中电子的浓度大于价带中空穴的浓度。 选项: A:正确; B:错误
18.
n型半导体,随着掺杂浓度减少,费米能级( )。选项: A:向导带底靠近; B:向下朝禁带中央靠近; C:向下朝价带顶靠近; D:向上朝禁带中央靠近
19.
关于半导体的费米能级与本征费米能级的关系,以下说法正确的有() 选项: A、本征半导体的费米能级等于本征费米能级; B、n型半导体的费米能级高于本征费米能级; C、p型半导体的费米能级低于本征费米能级; D、n型或p型半导体,掺杂浓度越大费米能级距离本征费米能级越远;
20.
n型半导体导带的有效状态密度 Nc=1.0×1019/cm3, 施主原子的浓度为ND=1.0×1021/cm3,导带的最低能级为1.10 eV,施主原子的局域能级为1.00 eV,求该n型半导体导带中的电子浓度和费米能级,k=8.6×10-5eV/K,T=300K,假定价带顶的能级为0.0 eV。( ) 选项: A、1.44×1019/cm3 , 0.56eV B、2.37×1019/cm3 , 0.44eV C、2.37×1019/cm3 , 0.56eV D、1.44×1019/cm3 , 0.44eV
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