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要使LED发光,有源层的半导体材料必须是直接带隙材料。( )
发布时间:
2024-06-15 21:39:00
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相关试题
1.
要使LED发光,有源层的半导体材料必须是直接带隙材料。( ) 选项: A、对 B、错
2.
有关直接和间接带隙半导体材料说法正确的是?选项: A:GaN属于直接带隙半导体材料; B:直接带隙半导体材料通常用于制作光探测器件; C:间接带隙半导体材料通常用于制作发光器件; D:直接带隙半导体材料在能级跃迁过程中有声子参与
3.
LED的制作只能采用直接带隙半导体材料。 选项: A:正确 B:错误
4.
制作发光器件的主要材料是: 选项: A、Si B、Ge C、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体 D、间接带隙半导体材料
5.
砷化镓是直接带隙半导体材料
6.
GaP是一种间接带隙半导体材料,不能用于发光器件。()
7.
GaP是一种间接带隙半导体材料,不能用于发光器件。(
)
8.
GaN材料作为直接带隙,可以制备成蓝光发光器件。
9.
(多选)以下的半导体材料中,_____为直接带隙半导体材料选项: A:Si; B:Ge ; C:GaAs; D:ZnO
10.
砷化镓是直接带隙半导体材料选项: A:对 B:错
11.
半导体发光材料LED 可发出连续光谱的白光。( )
12.
硅是直接带隙半导体,所以可以用来制备LED。
13.
晶体硅和GaAs都是直接带隙半导体材料。( )选项: A:对 B:错
14.
铜铟镓硒材料是一种( )带隙半导体。(填“直接”或“间接”)
15.
GaN材料作为直接带隙,可以制备成蓝光发光器件。选项: A:正确; B:错误
16.
硅是一种( )带隙的半导体材料。
17.
已知半导体材料GaAs的带隙Eg=1.43eV,则由该材料组成的半导体材料的发射波长是 微米。
18.
半导体材料实现对光的本征吸收是指材料吸收光子的能量( )半导体材料的本征带隙。 选项: A、> B、>= C、< D、=<
19.
简述直接带隙半导体和间接带隙半导体。
20.
从能带结构上来看,砷化镓材料属于____________________带隙半导体。
21.
从能带角度来看,锗、硅属于_________半导体,而砷化稼属于_________半导体,后者有利于光子的吸收和发射。( )选项: A:间接带隙,间接带隙 B:间接带隙,直接带隙 C:直接带隙,直接带隙 D:直接带隙,间接带隙
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