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【多选题】跨导gm为结型场效应管的一个重要的参数,关于它的描述,下列正确的是( )。
发布时间:
2024-05-17 10:53:33
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相关试题
1.
跨导gm为结型场效应管的一个重要的参数,关于它的描述,下列正确的是
2.
场效应管的低频跨导gm是常数。? 错误正确
3.
场效应管的低频跨导gm
4.
场效应管的低频跨导gm是常数。选项: A:正确; B:错误
5.
场效应管的低频跨导gm是常数。 选项: A、正确 B、错误
6.
场效应管的低频跨导gm是常数。选项: A:正确; B:错误
7.
中国大学MOOC: 场效应管的低频跨导gm是常数。
8.
场效应管的跨导gm=IDQ/VGSQ选项: A:对 B:错
9.
关于MOSFET的低频跨导gm,以下说法正确的是( )。选项: A:低频跨导gm放映了栅源电压对漏极电流的控制能力; B:低频跨导gm是指在漏源电压为常数时,漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压的微变量之比; C:低频跨导gm是一个常数,与管子的工作电流和电压无关; D:低频跨导gm会随管子工作点的不同而变化
10.
场效应管跨导gm表征栅源电压对漏极电流的控制能力。选项: A:正确; B:错误
11.
MOSFET的低频跨导gm是一个常数。
12.
MOSFET的低频跨导gm是一个常数。
13.
MOSFET的低频跨导gm是一个常数。选项: A:正确; B:错误
14.
MOSFET的低频跨导gm是一个常数。 选项: A、正确 B、错误
15.
低频跨导gm是一个常数。
16.
MOSFET的低频跨导gm是一个常数。A.正确B.错误
17.
( )是耗尽型场效应管的参数。 选项: A、开启电压UT B、饱和漏极电流IDSS C、夹断电压Up D、门槛电平UT E、互导gm
18.
结型场效应管和增强型MOS管的区别在于:即使栅源电压为零,结型场效应管的导电沟道 。
19.
某场效应管的符号如图所示,可判断该管为() 选项: A、N沟道结型场效应管 B、P沟道结型场效应管 C、N沟道耗尽型场效应管 D、P沟道耗尽型场效应管
20.
【单选题】某场效应管的转移特性曲线如图所示,则该管为() (5.0分) A. N沟道结型场效应管 B. P沟道结型场效应管 C. N沟道耗尽型场效应管 D. N沟道增强型场效应管
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