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- 6.场效应管的低频跨导gm是常数。? 错误正确
- 7.MOSFET的（ ）是输出特性曲线的斜率，（ ）是转移特性曲线的斜率。 选项： A:漏源电导，跨导; B:跨导，漏源电导; C:漏源电阻，栅源电阻; D:漏源电阻，跨导
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- 9.考虑M1沟道长度调制效应，电流源为理想电流源，若M1跨导为gm,输出电阻为ro，该电路增益为-gm*ro【图片】 选项：A、错误 B、正确
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- 11.短沟道MOSFET发生沟道载流子速度饱和之后，会出现哪些现象：（ ）。选项： A:饱和漏源电压正比于沟道长度 L; B:阈值电压随L 的缩短而减小; C:饱和漏极电流与沟道长度L无关; D:跨导与沟道长度 L 不再有关
- 12.短沟道MOSFET发生沟道载流子速度饱和之后，会出现哪些现象：（ ）。选项： A:饱和漏源电压正比于沟道长度 L; B:阈值电压随L 的缩短而减小; C:饱和漏极电流与沟道长度L无关; D:跨导与沟道长度 L 不再有关
- 13.场效应管的跨导gm=IDQ/VGSQ选项： A:错 B:对
- 14.电力MOSFET的导通原理是： 选项： A、N沟道增强型电力MOSFET当栅源极电压大于某一数值时，MOSFET内部形成导电沟道，器件导通。 B、N沟道增强型电力MOSFET当栅源极电压大于零时，MOSFET内部形成导电沟道，器件导通。 C、N沟道增强型电力MOSFET当栅源极电压小于某一数值时，MOSFET内部形成导电沟道，器件导通。
