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MOSFET的低频跨导gm是一个常数。
低频
常数
发布时间:
2024-04-22 12:04:47
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1.
MOSFET的低频跨导gm是一个常数。
2.
MOSFET的低频跨导gm是一个常数。A.正确B.错误
3.
MOSFET的低频跨导gm是一个常数。A.正确B.错误
4.
关于MOSFET的低频跨导gm,以下说法正确的是
5.
低频跨导gm是一个常数。( )判断题 选项: A: 对 B: 错
6.
场效应管的低频跨导gm是常数。? 错误正确
7.
场效应管的低频跨导gm是常数。选项: A:正确; B:错误
8.
场效应管的低频跨导gm是常数。选项: A:正确; B:错误
9.
下面的说法正确的是 。? MOSFET的低频跨导gm是一个常数。耗尽型N沟道MOSFET的栅源电压可正可负,也可以为零,都能保证器件工作于放大区。增强型MOS管工作在饱和区(放大区)时,其栅源电压必须大于零。MOSFET放大电路的三种组态中只有共源电路有功率放大作用。
10.
场效应管的低频跨导gm与栅源电压无关。( )
11.
AA041低频跨导Gm是衡量场效应管放大作用的重要参数。
12.
场效应管的跨导gm=IDQ/VGSQ
13.
场效应管的跨导gm=IDQ/VGSQ选项: A:错 B:对
14.
【多选题】跨导gm为结型场效应管的一个重要的参数,关于它的描述,下列正确的是( )。
15.
场效应管跨导gm表征栅源电压对漏极电流的控制能力。选项: A:正确; B:错误
16.
放大电路如图所示,已知FET的跨导gm,BJT的β>1,试求中频的电压增益的表达式
17.
由Δr Gm ɵ=-RTlnKɵ,因为Kɵ是平衡常数,所以Δr Gm ɵ是化学反应达到平衡时的摩尔吉布斯函数变化值
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