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MOSFET的低频跨导gm是一个常数。
选项:
A:正确;
B:错误
低频
常数
发布时间:
2024-04-22 12:04:47
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MOSFET的低频跨导gm是一个常数。
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关于MOSFET的低频跨导gm,以下说法中正确的是 。 选项: A、MOSFET的漏极电流ID的数值越大,gm就越大 B、gm是一个常数 C、gm是描述管子放大能力的一个参数 D、MOSFET的栅源电压|UGS|的数值越大,gm越大
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低频跨导gm是一个常数。
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关于MOSFET的低频跨导gm,以下说法正确的是
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场效应管的低频跨导gm是常数。选项: A:正确; B:错误
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低频跨导gm是一个常数。( )判断题 选项: A: 对 B: 错
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中国大学MOOC: 场效应管的低频跨导gm是常数。
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场效应管的低频跨导gm与栅源电压无关。( )
11.
场效应管的低频跨导gm与栅源电压无关。( )选项: A:对 B:错
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场效应管跨导gm表征栅源电压对漏极电流的控制能力。选项: A:正确; B:错误
14.
MOSFET的( )是输出特性曲线的斜率,( )是转移特性曲线的斜率。 选项: A:漏源电导,跨导; B:跨导,漏源电导; C:漏源电阻,栅源电阻; D:漏源电阻,跨导
15.
【多选题】跨导gm为结型场效应管的一个重要的参数,关于它的描述,下列正确的是( )。
16.
场效应管的跨导gm=IDQ/VGSQ选项: A:对 B:错
17.
考虑M1沟道长度调制效应,电流源为理想电流源,若M1跨导为gm,输出电阻为ro,该电路增益为-gm*ro【图片】 选项:A、错误 B、正确
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对IGBT下列说法正确的是() 选项: A、IGBT是MOSFET和GTR复合的产物 B、IGBT是MOSFET和GTO复合的产物 C、IGBT具有MOSFET驱动特性和GTR的导通特性。 D、IGBT具有MOSFET驱动特性和GTO的导通特性
19.
假设电路如图所示,能正常工作,电路跨导为gm,VT2和VT4的输出电阻均为ro,则该电路增益为gmro。【图片】【图片】 选项:A、正确 B、错误
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