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场效应管的低频跨导gm
低频
效应
发布时间:
2024-05-17 10:53:33
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1.
场效应管的低频跨导gm是常数。()
2.
场效应管的低频跨导gm是常数。选项: A:正确; B:错误
3.
场效应管的低频跨导gm是常数。选项: A:正确; B:错误
4.
场效应管的低频跨导gm与栅源电压无关。( )选项: A:对 B:错
5.
MOSFET的低频跨导gm是一个常数。
6.
关于MOSFET的低频跨导gm,以下说法正确的是
7.
MOSFET的低频跨导gm是一个常数。A.正确B.错误
8.
MOSFET的低频跨导gm是一个常数。A.正确B.错误
9.
跨导gm为结型场效应管的一个重要的参数,关于它的描述,下列正确的是
10.
【多选题】跨导gm为结型场效应管的一个重要的参数,关于它的描述,下列正确的是( )。
11.
关于MOSFET的低频跨导gm,以下说法中正确的是 。 选项: A、MOSFET的漏极电流ID的数值越大,gm就越大 B、gm是一个常数 C、gm是描述管子放大能力的一个参数 D、MOSFET的栅源电压|UGS|的数值越大,gm越大
12.
低频跨导g m 是一个常数。选项: A:正确; B:错误
13.
( )是耗尽型场效应管的参数。 选项: A、开启电压UT B、饱和漏极电流IDSS C、夹断电压Up D、门槛电平UT E、互导gm
14.
造成源极跟随器与射极跟随器相比有以上不同特性的根本原因是( )。 选项: A:场效应管输入阻抗高 B:场效应管跨导低 C:场效应管放大倍数小
15.
考虑M1沟道长度调制效应,电流源为理想电流源,若M1跨导为gm,输出电阻为ro,该电路增益为-gm*ro【图片】 选项:A、错误 B、正确
16.
共栅极放大电路如图(a)所示。已知:R1=2M,R2=10k2,R3=2.7k,RL=33k信号源内阻R,=2000;场效应管的跨导gm=0.95mS,输出电阻rd不能忽略,为100ka.试求该放大电路和
17.
共栅极放大电路如图(a)所示。已知:R1=2MΩ,R2=10k2,R3=2.7k,RL=33k信号源内阻R=2000;场效应管的跨导gm=0.95mS,输出电阻rd不能忽略,为100k.试求该放大电路和
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