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禁带宽度是导带底与价带顶之间的能量之( )。
选项:
A:和
B:差
C:积
D:商
宽度
发布时间:
2024-06-04 20:07:07
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相关试题
1.
禁带宽度时导带底与价带顶之间的能量之( )
2.
以下说法正确的是选项: A:价带肯定是满带; B:导带肯定是空带; C:禁带宽度的单位是长度单位; D:Ev是指价带顶; E:Ec是指导带底
3.
以下说法正确的是选项: A:价带肯定是满带; B:导带肯定是空带; C:禁带宽度的单位是长度单位; D:Ev是指价带顶; E:Ec是指导带底
4.
绝缘体的导电性差,是因为选项: A:价带为满带; B:禁带宽度大; C:禁带宽度小; D:价带为导带
5.
半导体量子点与其体材的能带有所不同:选项: A:禁带宽度展宽了; B:禁带宽度缩小了; C:禁带宽度不变; D:导带为分立能级; E:导带、价带均为连续能级; F:导带、价带均为分立能级
6.
载流子跃迁前后在( )所对应的波数(ke)与价带顶所对应波数(kh) 相同的能隙类型称为直接能隙,相应的半导体称为直接能隙半导体。选项: A:导带底; B:导带顶; C:禁带中; D:禁带外
7.
以下材料属于导体的是:选项: A:价带未填满 ; B:满的价带与空的导带间的禁带宽 ; C:满带与空带重叠 ; D:满的价带与空的导带间的禁带较小
8.
下列关于外光电效应表述正确的是:选项: A:对于本征半导体,电子从价带顶跃迁到导带所需最小能量为带隙与电子亲和势的能量之和;; B:对于本征半导体,电子从价带顶跃迁到导带所需最小能量为带隙的能量;; C:对于N型半导体,电子从施主能级跃迁到导带所需的最小能量为导带底与施主能级的能量之差;; D:对于P型掺杂半导体,电子从价带跃迁到受主能级所需的最小能量为受主能级与价带顶的能量之差。
9.
载流子跃迁前后在( )所对应的波数(ke)的位置与价带顶所对应波数(kh)不同的能隙类型称为间接能隙,相应的半导体称为间接能隙半导体。选项: A:导带底; B:导带顶; C:禁带中; D:禁带外
10.
硅晶体中掺入硼原子,会引入杂质能级,该能级是 ,离 近。( )选项: A:施主能级,导带底; B:施主能级,价带顶; C:受主能级,导带底; D:受主能级,价带顶
11.
硅晶体中掺入硼原子,会引入杂质能级,该能级是 ,离 近。( )? 施主能级,导带底|施主能级,价带顶|受主能级,导带底|受主能级,价带顶
12.
n型半导体,随着掺杂浓度减少,费米能级( )。选项: A:向导带底靠近; B:向下朝禁带中央靠近; C:向下朝价带顶靠近; D:向上朝禁带中央靠近
13.
在能带结构中,电子能量不能存在的能量范围是______。A.空带B.价带C.禁带D.满带
14.
对于非简并半导体,导带底或价带顶附近的状态密度与能量的关系为: 选项: A、抛物线性关系 B、线性关系 C、幂函数关系 D、指数关系
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