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降低高能光子能量损失应采用高带隙的光电半导体材料。
选项:
A:正确
B:错误
半导体
光子
高能
发布时间:
2024-04-14 21:44:26
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1.
半导体材料实现对光的本征吸收是指材料吸收光子的能量( )半导体材料的本征带隙。 选项:A、>B、>=C、
2.
LED的制作只能采用直接带隙半导体材料。 选项: A:正确 B:错误
3.
有关直接和间接带隙半导体材料说法正确的是?选项: A:GaN属于直接带隙半导体材料; B:直接带隙半导体材料通常用于制作光探测器件; C:间接带隙半导体材料通常用于制作发光器件; D:直接带隙半导体材料在能级跃迁过程中有声子参与
4.
下列关于光子带隙型光子晶体光纤特性的论述,错误的是?? 光子带隙型光子晶体光纤易与其他器件耦合,无菲涅尔反射|光子带隙型光子晶体光纤具有高非线性|光子带隙型光子晶体光纤具有特殊的波导色散|光子带隙型光子晶体光纤具有低弯曲损耗特性
5.
单选(4分) 下列关于光子带隙型光子晶体光纤特性的论述,错误的是? 选项: A:光子带隙型光子晶体光纤具有特殊的波导色散 B:光子带隙型光子晶体光纤易与其他器件耦合,无菲涅尔反射 C:光子带隙型光子晶体光纤具有高非线性 D:光子带隙型光子晶体光纤具有低弯曲损耗特性
6.
目前公认的光电阴极完成光电子发射包括哪些物理过程?选项: A:来自景物的光子激发光电阴极材料中的电子产生电子空穴对,在半导体内形成自由电子;; B:自由电子在半导体材料中运动向半导体材料表面迁移,伴有一定的能量损失; C:由于能量的损失,到达表面的部分电子能量低于真空能级,电子无法逸出到真空中; D:到达表面的电子剩余能量高于真空能级电子逸出表面成为真空中的光电子
7.
下列关于光子带隙型光子晶体光纤特性的论述,错误的是?? 光子带隙型光子晶体光纤具有高非线性光子带隙型光子晶体光纤易与其他器件耦合,无菲涅尔反射光子带隙型光子晶体光纤具有低弯曲损耗特性光子带隙型光子晶体光纤具有特殊的波导色散
8.
从能带角度来看,锗、硅属于_________半导体,而砷化稼属于_________半导体,后者有利于光子的吸收和发射。( )选项: A:间接带隙,间接带隙 B:间接带隙,直接带隙 C:直接带隙,直接带隙 D:直接带隙,间接带隙
9.
下列关于光子带隙型光子晶体光纤特性的论述,错误的是?A.光子带隙型光子晶体光纤易与其他器件耦合,无菲涅尔反射B.光子带隙型光子晶体光纤具有低弯曲损耗特性C.光子带隙型光子晶体光纤 具有特殊的波导色散D.光子带隙型光子晶体光纤具有高非线性
10.
半导体材料中的发光主要是导带和价带之间的跃迁,发射的光子能量等于半导体的禁带宽度。()
11.
硅是间接带隙半导体材料、GaAs和CdTe均是直接带隙材料
12.
下列关于光子带隙型光子晶体光纤特性的论述,错误的是?? 光子带隙型光子晶体光纤可以依靠孔洞内的倏逝场进行气体或液体传感光子带隙型光子晶体光纤可以利用增强拉曼效应进行生物传感相较于光子带隙型光子晶体光纤,全内反射型光子晶体光纤在进行气体检测时反应时间短、探测效率更高由于光子带隙型光子晶体光纤的非线性阈值以及损伤阈值高,可用于高功率导光生化传感
13.
下列关于外光电效应表述正确的是:选项: A:对于本征半导体,电子从价带顶跃迁到导带所需最小能量为带隙与电子亲和势的能量之和;; B:对于本征半导体,电子从价带顶跃迁到导带所需最小能量为带隙的能量;; C:对于N型半导体,电子从施主能级跃迁到导带所需的最小能量为导带底与施主能级的能量之差;; D:对于P型掺杂半导体,电子从价带跃迁到受主能级所需的最小能量为受主能级与价带顶的能量之差。
14.
下列关于光子带隙型光子晶体光纤特性的论述,错误的是? 选项: A、由于光子带隙型光子晶体光纤的非线性阈值以及损伤阈值高,可用于高功率导光生化传感 B、光子带隙型光子晶体光纤可以依靠孔洞内的倏逝场进行气体或液体传感 C、光子带隙型光子晶体光纤可以利用增强拉曼效应进行生物传感 D、相较于光子带隙型光子晶体光纤,全内反射型光子晶体光纤在进行气体检测时反应时间短、探测效率更高
15.
有关光子带隙光子晶体光纤,以下哪种说法是错误的?选项: A:光子带隙光子晶体光纤的传导光的原理与普通光纤不同; B:在光子带隙光子晶体中传导光的波长带宽比普通的光纤窄; C:光子带隙光子晶体可等效为阶跃折射率分布光纤; D:不同波长的光将在光子带隙光子晶体光纤不同的区域传输
16.
( )光子探测器是利用某些半导体材料在红外辐射的照射下,入射光子流与探测材料相互作用产生的光电效应原理来判定红外辐射的强弱的。 选项: A:正确 B:错误
17.
单选(4分) 下列关于光子带隙型光子晶体光纤的论述,错误的是? 选项: A:在设计光子带隙型光子晶体光纤时,为了获得波长范围较宽的包层光子带隙,包层的占空比设计的比较小 B:光子带隙型光子晶体光纤中模式在包层光子带隙中所处位置直接导致它在芯层的光场局限程度 C:光子带隙型光子晶体光纤的导光机制是当光在芯层中以某个角度入射至包层时,包层周期性结构会产生多重散射,形成干涉减弱导致光无法通过包层微结构材料,从而使光返回到芯层传输 D:光子带隙型光子晶体光纤支持二阶模传输
18.
直接带隙材料发生辐射复合时________.选项: A:放出光子; B:放出光子和声子; C:吸收声子,放出光子; D:吸收光子
19.
下列关于光子带隙型光子晶体光纤的论述,错误的是?A.光子带隙型光子晶体光纤的导光机制是当光在芯层中以某个角度入射至包层时,包层周期性结构会产生多重散射,形成干涉减弱导致光无法通过包层微结构材料,从而使光返回到芯层传输B.在设计光子带隙型光子晶体光纤时,为了获得波长范围较宽的包层光子带隙,包层的占空比设计的比较小C.光子带隙型光子晶体光纤支持二阶模传输D.光子带隙型光子晶体光纤中模式在包层光子带隙中所处位置直接导致它在芯层的光场局限程度
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