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(多选)以下的半导体材料中,_____为直接带隙半导体材料
选项:
A:Si;
B:Ge ;
C:GaAs;
D:ZnO
半导体
材料
料中
发布时间:
2024-04-14 21:44:26
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1.
下列晶体结构为闪锌矿型的半导体材料为( )。选项: A:ZnO; B:GaAs; C:Ge; D:Si
2.
以下几种材料为宽禁带半导体的是选项: A:Si; B:Ge; C:GaAs; D:GaN
3.
硅、锗和砷化镓三种半导体材料在室温且较纯的情况下,电子迁移率大小顺序为()。 选项:A、 μSi<μGe<μGaAs B、 μGaAs<μGe<μSi C、无法比较 D、μGe<μSi<μGaAs
4.
下列哪种材料是直接带隙半导体材料( )A.SiB.GeC.GaAs
5.
下列不属于半导体的是?选项: A:Si; B:Ge; C:GaAs; D:Fe
6.
下列半导体材料中,属于直接带隙半导体的是( )。 A: 硅 B: 锗 C: 砷化镓 D: 磷化镓
7.
下面哪几种属于宽禁带半导体材料选项: A:Si; B:SiC; C:GaN; D:ZnO
8.
下列半导体中,禁带宽度Eg最小的是( ) 选项: A、Si B、 Ge C、 GaAs D、 GaN
9.
硅、锗和砷化镓三种半导体材料在室温且较纯的情况下,电子迁移率大小顺序为()。 选项:A.μGaAs<μGe<μSiB.μGe<μSi<μGaAsC.μSi<μGe<μGaAsD.无法比较
10.
半导体行业最常用的半导体材料是()。 选项: A、Si B、Ge C、氮化镓 D、砷化镓
11.
结合能带结构简述为何Si和Ge不能成为合适的光电半导体材料,而混合半导体晶体能够作为光电半导体材料。(提醒:能隙概念、光子频率与能量关系)
12.
III-V族化合物半导体材料与传统的半导体Si材料相比,具有的特点包括:带隙较大、直接跃迁型能带、电子迁移效率高。( )选项: A:对 B:错
13.
砷化镓是直接带隙半导体材料
14.
砷化镓是直接带隙半导体材料选项: A:对 B:错
15.
从能带角度来看,锗、硅属于_________半导体,而砷化稼属于_________半导体,后者有利于光子的吸收和发射。( )选项: A:间接带隙,间接带隙 B:间接带隙,直接带隙 C:直接带隙,直接带隙 D:直接带隙,间接带隙
16.
要使LED发光,有源层的半导体材料必须是直接带隙材料。( )
17.
要使LED发光,有源层的半导体材料必须是直接带隙材料。( )选项: A:对 B:错
18.
在通常情况下,GaN是直接带隙半导体材料。 ( )选项: A:对 B:错
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