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MOSFET按照导电沟道可以分成()
可以分
按照
导电
发布时间:
2024-04-08 15:55:14
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1.
按导电沟道,MOSFET可分为()和()。
2.
中国大学MOOC: MOSFET中的导电沟道是指其()?
3.
按导电沟道不同,电力 MOSFET可分为哪两项
4.
按导电沟道不同,电力MOSFET可分为哪两项?() 选项: A、耗尽型 B、增强型 C、P沟道 D、N沟道
5.
按导电沟道不同,电力 MOSFET可分为哪两项选项: A:耗尽型 B:增强型 C:P沟道 D:N沟道
6.
中国大学MOOC: 增强型N沟道MOSFET/MOS场效应管在( )条件下,才会形成导电沟道。
7.
MOSFET中的导电沟道是指其()?? 氧化层|金属层|耗尽层|反型层
8.
MOSFET中的导电沟道是指其()?? 氧化层金属层耗尽层反型层
9.
增强型N沟道MOSFET/MOS场效应管在( )条件下,才会形成导电沟道。 A: UGS=0 B: UGS>;UGS(th) C: UGS>;0 D: UGS<;0
10.
增强型N沟道MOSFET/MOS场效应管在( )条件下,才会形成导电沟道。 选项: A、UGS=0 B、UGS>;UGS(th) C、UGS>;0 D、UGS<;0
11.
MOSFET器件工作在饱和区时,由于导电沟道被夹断,所以漏极电流为0。选项: A:对 B:错
12.
某场效应管的转移特性如图所示,则该管是() 选项: A、P沟道增强型MOSFET B、P沟道JFET C、N沟道增强型MOSFET D、N沟道耗尽型MOSFET
13.
MOSFET夹断后,随着漏极电压的增加,导电沟道两端的电压保持不变,但沟道长度L缩短,漏极电压增加,呈现不饱和特性,这种现象称为()。
14.
增强型N沟道MOSFET/MOS场效应管在( )条件下,才会形成导电沟道。 A: UGS=0 B: UGS>UGS(th) C: UGS>0 D: UGS<0
15.
增强型N沟道MOSFET/MOS场效应管在( )条件下,才会形成导电沟道。 选项: A、UGS=0 B、UGS>UGS(th) C、UGS>0 D、UGS<0
16.
使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是_____
17.
以下哪些措施可以增大MOSFET的饱和区漏极电流:( )。选项: A:增加沟道长度; B:减小栅氧化层厚度; C: 减小沟道宽度; D: 提高阈值电压
18.
N沟道耗尽型MOSFET的夹断电压VP<0,即当VGS
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