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- 1.以下哪些因素会降低MOSFET的饱和区漏极电流：（ ）。选项： A:栅氧化层厚度减小; B:沟道长度增加; C:沟道宽度增加; D:阈值电压提高
- 2.电力MOSFET的导通原理是： 选项： A、N沟道增强型电力MOSFET当栅源极电压大于某一数值时，MOSFET内部形成导电沟道，器件导通。 B、N沟道增强型电力MOSFET当栅源极电压大于零时，MOSFET内部形成导电沟道，器件导通。 C、N沟道增强型电力MOSFET当栅源极电压小于某一数值时，MOSFET内部形成导电沟道，器件导通。
- 3. MOSFET开关的基本工作原理是通过_极电压来控制_极和__极之间的导电沟道的通断
- 4.当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流 A: P沟道耗尽型 B: P沟道增强型 C: N沟道耗尽型 D: N沟道增强型
- 5.当栅源电压为0V时,_______MOS管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。 A: N沟道增强型 B: P沟道耗尽型 C: N沟道耗尽型 D: P沟道增强型
- 6.当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。选项： A:P沟道增强型; B:P沟道耗尽型; C:N沟道增强型; D:N沟道耗尽型
- 7.当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。选项： A:P沟道耗尽型; B:N沟道耗尽型; C:N沟道增强型; D:P沟道增强型
- 8.当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。A.N 沟道耗尽型B.N 沟道增强型C.P 沟道耗尽型D.P 沟道增强型
- 9.当栅源电压为0V时，（）MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流A.P沟道耗尽型B.P沟道增强型C.N沟道耗尽型D.N沟道增强型
- 10.当栅源电压Vgs为 0V 时, _MOS 管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。A．N 沟道耗尽型B．N 沟道增强型C．P 沟道耗尽型D．P 沟道增强型
- 11.当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。A.P 沟道耗尽型B.N 沟道耗尽型C.N 沟道增强型D.P 沟道增强型
- 12. N沟道增强型MOS管的栅源电压为正时，能控制漏极电流。（）
- 13.当vGS为0时，_____（a. N沟道耗尽型 b. N沟道增强型 c. P沟道耗尽型 d. P沟道增强型）MOS管存在导电沟道，在正的vGS电压作用下，可以有更大的漏极电流
- 14.N沟道增强型MOSFET的开启电压为（ ）；P沟道增强型MOSFET的开启电压为（ ）。
