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按导电沟道不同,电力MOSFET可分为哪两项?()
选项:
A:耗尽型
B:增强型
C:P沟道
D:N沟道
可分
增强型
道不同
发布时间:
2024-04-08 15:55:14
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1.
以下关于电力MOSFET导电沟道说法错误的是( )。 选项: A:可分为P沟道和N沟道 B:当栅极电压为零时,漏源极之间就存在导电沟道的,称为耗尽型 C:对于N沟道器件,栅极电压等于零时才存在导电沟道的,称为增强型 D:在电力MOSFET中,N沟道增强型器件较多
2.
电力MOSFET的导通原理是: 选项: A、N沟道增强型电力MOSFET当栅源极电压大于某一数值时,MOSFET内部形成导电沟道,器件导通。 B、N沟道增强型电力MOSFET当栅源极电压大于零时,MOSFET内部形成导电沟道,器件导通。 C、N沟道增强型电力MOSFET当栅源极电压小于某一数值时,MOSFET内部形成导电沟道,器件导通。
3.
当vGS为0时,_____(a. N沟道耗尽型 b. N沟道增强型 c. P沟道耗尽型 d. P沟道增强型)MOS管存在导电沟道,在正的vGS电压作用下,可以有更大的漏极电流
4.
绝缘栅型场效应管有哪几类()。 N沟道增强型MOS管 N沟道不变型MOS管 N沟道耗尽型MOS管 P沟道增强型MOS管 选项:A、N沟道增强型MOS管B、N沟道不变型MOS管C、N沟道耗尽型MOS管D、P沟道增强型MOS管
5.
当栅源电压为0V时,_______MOS管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。 选项: A、N沟道增强型 B、P沟道耗尽型 C、N沟道耗尽型 D、P沟道增强型
6.
当栅源电压为0V时,_______MOS管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。 选项: A、N沟道耗尽型 B、N沟道增强型 C、P沟道耗尽型 D、P沟道增强型
7.
当栅源电压为0V时,_______MOS管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。 A: N沟道增强型 B: P沟道耗尽型 C: N沟道耗尽型 D: P沟道增强型
8.
当栅源电压为0V时,_______MOS管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。 A: N沟道耗尽型 B: N沟道增强型 C: P沟道耗尽型 D: P沟道增强型
9.
分别画出P沟道增强型,P沟道耗尽型,N沟道增强型,N沟道耗尽型场效应管的符号并标注各个引脚名称
10.
MOS场效应管按导电沟道可以分为n沟道器件和p沟道器件,按栅电压为零时是否形成反型层导电沟道可以分为增强型和耗尽型。选项: A:正确; B:错误
11.
06.如右图所示:该场效应管为 A 。A.P沟道耗尽型MOS B.N沟道JFET C.N沟道增强型MOS选项: A:P沟道耗尽型MOS ; B:N沟道JFET; C:N沟道增强型MOS; D:/
12.
15.如右图所示:该场效应管为 () 。A.P沟道耗尽型MOS B.N沟道JFET C.N沟道增强型MOS选项: A:P沟道耗尽型MOS ; B:N沟道JFET ; C:N沟道增强型MOS; D:/
13.
当栅源电压为0V时,_______MOS管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。选项: A:P沟道增强型; B:P沟道耗尽型; C:N沟道增强型; D:N沟道耗尽型
14.
MOS场效应管可以分为( )。选项: A:N沟道增强型MOS管; B:P沟道增强型MOS管; C:N沟道耗尽型MOS管; D:P沟道耗尽型MOS管
15.
当栅源电压为0V时,()MOS管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。A.N沟道耗尽型B.N沟道增强型C.P沟道耗尽型D.P沟道增强型
16.
当栅源电压为0V时,()MOS管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流A.P沟道耗尽型B.P沟道增强型C.N沟道耗尽型D.N沟道增强型
17.
当栅源电压Vgs为 0V 时, _______MOS 管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。A.N 沟道耗尽型B.N 沟道增强型C.P 沟道耗尽型D.P 沟道增强型
18.
vGS=0时,能够工作在恒流区的场效应管有( )。 选项: A、N沟道增强型 B、 N沟道耗尽型 C、 P沟道增强型 D、 P沟道耗尽型
19.
N沟道增强型MOSFET的开启电压为( );P沟道增强型MOSFET的开启电压为( )。
20.
当栅源电压Vgs为 0V 时, _MOS 管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。A.N 沟道耗尽型B.N 沟道增强型C.P 沟道耗尽型D.P 沟道增强型
21.
如图所示是一个MOSFET的转移特性,漏极电流iD的方向是它的实际方向,它是_场效应管。A.N沟道增强型B.P沟道增强型C.N沟道耗尽型D.P沟道耗尽型
22.
如图所示是一个MOSFET的转移特性,漏极电流iD的方向是它的实际方向,它是_场效应管。 【图片】A.P 沟道增强型B.N 沟道耗尽型C.N 沟道增强型D.P 沟道耗尽型
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