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当施主能级ED与费米能级EF重合时,电离施主杂质的浓度为未电离施主杂质浓度的_________倍。
电离
能级
施主
发布时间:
2024-04-20 22:29:08
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1.
当施主能级ED与费米能级EF相等时,电离施主的浓度为施主浓度的( )倍。选项: A:1/2; B:1/3; C:1/4; D:1/5
2.
施主杂质浓度为1013cm-3的n型硅,计算在400k杂质完全电离时的多子浓度、少子浓度、费米能级的位置。
3.
计算含有施主杂质浓度为ND=9 1015cm3,及受主杂质浓度为1.1 1016cmi,的硅在33K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置
4.
计算含有施主杂质浓度为ND=9×1015cm-3,及受主杂质浓度为1.1×1016cm3,的硅在300K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。
5.
计算含有施主杂质浓度为ND=9⨯1015cm-3,及受主杂质浓度为1.1⨯1016cm3,的硅在33K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。
6.
计算含有施主杂质浓度ND=91015 cm-3和受主杂质浓度ND=1.11016 cm-3的硅在300K时的电子和空穴密度以及费米能级的位置。
7.
计算含有施主杂质浓度ND=91015 cm-3和受主杂质浓度ND=1.11016 cm-3的硅在300K时的电子和空穴密度以及费米能级的位置。
8.
以下说法不正确的是( )。选项: A:对n型半导体,随着施主浓度ND的增加,费米能级EF从禁带中线逐渐向导带底方向靠近。; B:对p型半导体,随着受主浓度NA的增加,费米能级EF从禁带中线逐渐向价带顶方向靠近。; C:杂质半导体中载流子浓度和费米能级EF的位置由杂质浓度所决定,与温度无关。; D:在杂质半导体中,费米能级EF的位置不但反映了半导体的导电类型,而且还反映了半导体的掺杂水平。
9.
以下关于施主杂质的描述,正确的是选项: A:施主杂质在束缚态时带有负电荷; B:施主杂质在束缚态时带有正电荷; C:施主杂质的电离能一般远小于本征半导体的禁带宽度; D:P作为Si的施主时,是一种替位杂质; E:施主能级可位于禁带中
10.
以下关于施主杂质的描述,正确的是选项: A:施主杂质在束缚态时带有负电荷; B:施主杂质在束缚态时带有正电荷; C:施主杂质的电离能一般远小于本征半导体的禁带宽度; D:P作为Si的施主时,是一种替位杂质; E:施主能级可位于禁带中
11.
室温下,n-Si中的电子浓度为空穴浓度的10000倍,则其费米能级位于( )。选项: A:禁带中线之下; B:禁带中线; C:禁带中线之上; D:施主能级
12.
硅晶体中掺入硼原子,会引入杂质能级,该能级是 ,离 近。( )? 施主能级,导带底|施主能级,价带顶|受主能级,导带底|受主能级,价带顶
13.
p型的MOS结构半导体表面处于反型区时,空间电荷是 的,为 ( )。选项: A:正,电离施主杂质; B:正,电离施主杂质和空穴; C:负,电离受主杂质; D:负,电离受主杂质和电子
14.
n型半导体,随着施主浓度ND的增加,费米能级从禁带中线逐渐移向_____方向。
15.
若锗中杂质电离能△E D =0.01eV,施主杂质浓度分别为N D =10 14 cm -3 及10 17 cm -3 ,计算
16.
已知Si中只含施主杂质ND=1015cm-3,现在40K下测得电子浓度为1012cm-3,试估算施主杂质的电离能。
17.
n型半导体导带的有效状态密度Nc=1.0×1019/cm3,施主原子的浓度为ND=1.0×1021/cm3,导带的最低能级为1.10eV,施主原子的局域能级为1.00eV,求该n型半导体导带中的电子浓度和费米能级,k=8.6×10-5eV/K,T=300K,假定价带顶的能级为0.0eV。()
18.
发磷光的材料往往含有杂质并在能隙附近建立了施主能级。( )
19.
室温下,对于一块p型半导体,如 (1)向其中继续加入施主杂质,费米能级在禁带中的位置将向____移,导带中的电子浓度____、价带中的电子浓度____; (2)向其中继续加入受主杂质,费米能级在禁带中的位置将向____移,导带中的电子浓度____、价带中的电子浓度____; (3)升高温度,费米能级将向 移。
20.
如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主杂质浓度和受主杂质浓度相等,会造成什么结果?? 通过杂质的补偿作用,半导体变为P型半导体。|施主杂质和受主杂质之间高度补偿,半导体中存在大量杂质,特性很差。|施主杂质和受主杂质完全补偿掉,结果是没有杂质,类似本征半导体。|通过杂质的补偿作用,半导体变为N型半导体。
21.
以下哪种情况下,半导体为N型的?选项: A:本征半导体中掺入施主杂质。; B:本征半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度大于受主浓度。; C:本征半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度小于受主浓度。; D:本征半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度等于受主浓度。; E:本征半导体中掺入受主杂质。
22.
杂质半导体费米能级处于温度较低的前三区时,温度不变时,杂质浓度降低,电离百分数如何变化? 选项: A、上升 B、下降 C、先上升再下降 D、先下降再上升
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