在P型半导体中掺入微量的（）等元素后，半导体中就会产生许多缺少电子的空穴。
选项：
A:铟、铝、锑、镓
B:铟、铝、硼、镓
C:铟、磷、锑、砷
D:铟、锑、硼、镓
发布时间：2024-06-17 19:07:20
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在P型半导体中掺入微量的（）等元素后，半导体中就会产生许多缺少电子的空穴。
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- 1.霍尔元件的常用材料有（） 选项： A、P型锗 B、 锑化铟 C、 砷化铟 D、 砷化镓
- 2.在硅或锗的晶体中掺入少量的 3 价杂质元素，如硼、镓、铟等，可以构成 。（ ）选项： A:N型半导体 B:P型半导体
- 3.砷化镓和磷化铟属于间接带隙半导体。
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- 5.最基本的半导体材料是()、砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)。
- 6.制造霍尔元件的半导体材料中,目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟,其原因是这些()。
- 7.制造霍尔元件的半导体材料中,目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟,其原因是这些
- 8.制造霍尔元件的半导体材料中，目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟，其原因是这些( )。 选项：A. 半导体材料的霍尔常数比金属的大B. 半导体中电子迁移率比空穴高C. 半导体材料的电子迁移率比较大D. N 型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件
- 9.下列材料中,适宜作霍尔元件的有( ) 选项：A、金属 B、N型锗 C、N型锑化铟 D、N型砷化铟
- 10.制造霍尔元件的半导体材料中,目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟,其原因是这些( )。 选项： A、半导体材料的霍尔常数比金属的大。 B、 半导体中电子迁移率比空穴多。 C、 半导体材料的电子迁移率比较大。 D、 N型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件。
- 11.制造霍尔元件的半导体材料中，目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟，其原因是这些（ ）。 选项： A、半导体材料的电阻率大 B、半导体中电子迁移率比空穴高 C、半导体材料的电子迁移率比较大 D、N型半导体材料教适宜制造灵敏度高的霍尔元件
- 12.制造霍尔元件的半导体材料中,目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟,其原因是这些( )。 选项： A:半导体中电子迁移率比空穴高 B:半导体材料的霍尔常数比金属的大 C:半导体材料的电子迁移率比较大 D:N型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件
- 13.制造霍尔元件的半导体材料中，目前应用较多的是锗、锑化铟、砷化铟，其原因是这些（ ）。 选项： A、半导体材料的霍尔常数比金属大 B、半导体中电子的迁移率比空穴高 C、半导体材料的电子迁移率比较大 D、N型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件
- 14.制造霍尔元件的半导体材料中，目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟，其原因是这些（ ）。选项： A:半导体材料的电阻率大; B:半导体中电子迁移率比空穴高; C:半导体材料的电子迁移率比较大; D:N型半导体材料教适宜制造灵敏度高的霍尔元件
- 15.铜铟镓硒材料是一种（ ）带隙半导体。（填“直接”或“间接”）
- 16.下列材料中，不适宜制作霍尔元件的是 选项：A、金属 B、N型锗 C、N型锑化铟 D、N型砷化铟
