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霍尔元件的常用材料有()
选项:
A:P型锗
B: 锑化铟
C: 砷化铟
D: 砷化镓
常用
元件
发布时间:
2024-06-17 19:07:20
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1.
【多选题】下列材料中,适宜作霍尔元件的有()。 选项: A: 金属 B: N型锗 C: N型锑化铟 D: N型砷化铟
2.
下列材料中,不适宜制作霍尔元件的是( )。 选项: A:金属 B:N型锗 C:N型锑化铟 D:N型砷化铟
3.
下列材料中,适宜作霍尔元件的有()。 选项: A:A.金属 B:B.N型锗 C:C.N型锑化铟 D:D.N型砷化铟
4.
下列材料中,不适宜制作霍尔元件的是选项: A:金属 B:锗型半导体 C:锑化铟型半导体 D:砷化铟型半导体
5.
下列材料中,不适宜制作霍尔元件的是( )。(20 分) 选项: A:金属 B:N型锗 C:N型锑化铟 D:N型砷化铟
6.
下列材料中,不适宜制作霍尔元件的是( )。 选项: A、锑化铟型半导体 B、锗型半导体 C、砷化铟型半导体 D、金属
7.
霍尔元件根据霍尔效应原理制成,一般采用( )等半导体单晶材料制作。选项: A:锗; B:硅; C:锑化铟; D: 砷化铟
8.
制造霍尔元件的半导体材料中,使用较多的是锗、锑化铟、砷化铟,原因是 选项: A:半导体的霍尔常数比金属的大 B:半导体中电子迁移率比较大 C:半导体中电子的迁移率比空穴高 D:N型半导体材料较适宜做灵敏度高的霍尔元件
9.
制造霍尔元件的半导体材料中,目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟,其原因是选项: A:N型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件; B:半导体材料的电子迁移率比较大 ; C:半导体中电子迁移率比空穴高; D:半导体材料的霍尔常数比金属的大
10.
制造霍尔元件的半导体材料中,目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟,其原因是这些( )。 选项: A、半导体材料的霍尔常数比金属的大。 B、 半导体中电子迁移率比空穴多。 C、 半导体材料的电子迁移率比较大。 D、 N型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件。
11.
制造霍尔元件的半导体材料中,目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟,其原因是这些( )。选项: A:半导体材料的霍尔常数比金属的大 B:半导体中电子迁移率比空穴高 C:半导体材料的电子迁移率比较大 D:N型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件
12.
制造霍尔元件的半导体材料中,目前应用较多的是锗、锑化铟、砷化铟,其原因是这些( )。 选项: A、半导体材料的霍尔常数比金属大 B、半导体中电子的迁移率比空穴高 C、半导体材料的电子迁移率比较大 D、N型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件
13.
制造霍尔元件的半导体材料中,目前应用较多的是锗、锑化铟、砷化铟,其原因是这些( ) 选项:A、半导体材料的霍尔常熟比金属大B、半导体中电子的迁移率比空穴高C、半导体材料的电子迁移率比较大D、N型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件
14.
制造霍尔元件的半导体材料中,目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟,其原因是这些( )。选项: A:半导体材料的霍尔常数比金属的大; B:半导体中电子迁移率比空穴高; C:半导体材料的电子迁移率比较大; D:N型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件
15.
制造霍尔元件的半导体材料中,目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟,其原因是这些( )。 选项: A、半导体材料的电阻率大 B、半导体中电子迁移率比空穴高 C、半导体材料的电子迁移率比较大 D、N型半导体材料教适宜制造灵敏度高的霍尔元件
16.
制造霍尔元件的半导体材料中,目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟,其原因是这些( )。选项: A:半导体材料的电阻率大; B:半导体中电子迁移率比空穴高; C:半导体材料的电子迁移率比较大; D:N型半导体材料教适宜制造灵敏度高的霍尔元件
17.
制造霍尔元件的半导体材料中,目前用的较多的是锗、锑化铟、砷化铟,其原因是这些( )。 选项:A. 半导体材料的霍尔常数比金属的大B. 半导体中电子迁移率比空穴高C. 半导体材料的电子迁移率比较大D. N 型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件
18.
最基本的半导体材料是()、砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)。
19.
砷化镓和磷化铟属于间接带隙半导体。
20.
第一代太阳电池的主要材料是( )选项: A:锗; B:硅; C:锑化镉 ; D:砷化镓
21.
从半导体产业的主材料体系发展历程来看,第三代半导体材料以化合物()为主。 选项: A:砷化镓 B:碳化硅 C:氮化镓 D:
磷化铟
22.
下列化合物半导体材料属于间接跃迁半导体的是( )。 选项: A、砷化镓半导体 B、磷化镓半导体 C、磷化铟半导体 D、氮化镓半导体
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