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禁带宽度时导带底与价带顶之间的能量之( )
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发布时间:
2024-06-04 20:07:07
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1.
禁带宽度是导带底与价带顶之间的能量之( )。 选项: A、和 B、差 C、积 D、商
2.
禁带宽度是导带底与价带顶之间的能量之( )。 选项: A、和 B、差 C、积 D、商
3.
以下说法正确的是选项: A:价带肯定是满带; B:导带肯定是空带; C:禁带宽度的单位是长度单位; D:Ev是指价带顶; E:Ec是指导带底
4.
以下说法正确的是选项: A:价带肯定是满带; B:导带肯定是空带; C:禁带宽度的单位是长度单位; D:Ev是指价带顶; E:Ec是指导带底
5.
半导体材料中的发光主要是导带和价带之间的跃迁,发射的光子能量等于半导体的禁带宽度。()
6.
以下材料属于导体的是:选项: A:价带未填满 ; B:满的价带与空的导带间的禁带宽 ; C:满带与空带重叠 ; D:满的价带与空的导带间的禁带较小
7.
以下关于能带说法正确的是 选项: A、价带一定是满带 B、导带一定是空带 C、能带和能带间不能有电子 D、禁带宽度指的是价带到导带的距离
8.
电子不能在禁带排布,但是可以越过禁带,从价带跃迁到导带。( )选项: A:对 B:错
9.
n型半导体,随着掺杂浓度减少,费米能级( )。选项: A:向导带底靠近; B:向下朝禁带中央靠近; C:向下朝价带顶靠近; D:向上朝禁带中央靠近
10.
本征半导体的特点是()选项: A:电子和空穴浓度相等; B:电子和空穴浓度不相等; C:费米能级处于导带底和价带顶的中间; D:费米能级处于价带底和导带顶的中间。
11.
对于非简并n型半导体,如果杂质浓度一定,则随着温度的升高,EF将逐渐远离( )。 选项: A、禁带中央 B、导带底 C、价带顶 D、受主能级
12.
对于非简并半导体,导带底或价带顶附近的状态密度与能量的关系为: 选项: A、抛物线性关系 B、线性关系 C、幂函数关系 D、指数关系
13.
当入射光能量高于禁带宽度时,价带电子受激发跃迁至导带,同时在价带上产生相应的空穴,形成电子空穴对。( )选项: A:对 B:错
14.
下列哪种材料的价带是满带,但禁带宽度为零,价带和较高的空带相交叠,满带中的电子能占据空带( )。 选项: A、Mg B、Si C、Ge D、SiC
15.
下列哪种材料的价带是满带,但禁带宽度为零,价带和较高的空带相交叠,满带中的电子能占据空带( )。选项: A:Ge B:Si C:Mg D:SiC
16.
与绝缘体比较,半导体能带结构的特点是选项: A:满带与导带重合; B:禁带宽度较宽; C:禁带宽度较窄; D:以上都是错的
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