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与绝缘体比较,半导体能带结构的特点是
选项:
A:满带与导带重合;
B:禁带宽度较宽;
C:禁带宽度较窄;
D:以上都是错的
半导体
以上
绝缘体
发布时间:
2024-05-14 19:35:50
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1.
中国大学MOOC: 根据能带理论,绝缘体有满带和空带,且禁带宽度大;半导体有满带和空带,但禁带宽度较窄
2.
根据能带结构,原子最外层能带为满带,且满带与空带间具有较宽禁带的材料为( )。 选项: A、导体 B、半导体 C、绝缘体 D、不确定
3.
如下所述,有关新型半导体器件,表述正确的是:选项: A:集成门极换流晶闸管简称IGCT。; B:金属的禁带宽度比宽禁带半导体材料宽。; C:绝缘体的禁带宽度比宽禁带半导体材料窄。; D:半导体的禁带宽度比金属的禁带宽度窄。
4.
p型半导体的受主能级,在能级结构中处于选项: A:满带中; B:导带中; C:禁带中,接近导带底部。; D:禁带中,接近满带顶部。
5.
以下关于能带说法正确的是 选项: A、价带一定是满带 B、导带一定是空带 C、能带和能带间不能有电子 D、禁带宽度指的是价带到导带的距离
6.
宽禁带半导体材料的禁带宽度是()
7.
禁带宽度(能隙、带隙)是导带底与价带顶能量之差。
8.
以下材料属于导体的是:选项: A:价带未填满 ; B:满的价带与空的导带间的禁带宽 ; C:满带与空带重叠 ; D:满的价带与空的导带间的禁带较小
9.
宽禁带半导体材料是指禁带宽度在2.0eV及以上的半导体材料。( ) 选项: A、对 B、错
10.
禁带宽度时导带底与价带顶之间的能量之( )
11.
半导体导带中的电子浓度取决于导带的( )。选项: A:状态密度 B:费米分布函数 C:电子的有效质量 D:禁带宽度
12.
光子流密度与半导体禁带宽度密切相关,随着禁带减小,光子流密度急剧减小。( )选项: A:对 B:错
13.
在满带之上,能量较高,且可以是部分填充电子或全空的能带( )。 选项: A:价带 B:导带 C:禁带 D:空带
14.
能带和能带间不能有电子填充的叫 选项: A:禁带; B:导带; C:价带; D:空带
15.
随着温度的升高,p型半导体的费米能( ) 选项: A、从导带底部能级向禁带中央变化 B、从导带顶部能级向禁带中央变化 C、从价带顶部能级向禁带中央变化 D、从价带底部能级向禁带中央变化
16.
对于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,随着平均原子序数的增加( )。选项: A:禁带宽度增大; B:禁带宽度变小; C:最低导带极值从布里渊区中心移向边界; D:最低的导带极值从布里渊区中心不变
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