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当入射光能量高于禁带宽度时,价带电子受激发跃迁至导带,同时在价带上产生相应的空穴,形成电子空穴对。( )
选项:
A:对
B:错
发布时间:
2024-06-04 20:08:10
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1.
当光子能量低于半导体禁带宽度时,电子仍然可以吸收光子能量从价带跃迁到导带。选项: A:对 B:错
2.
深能级指能量很靠近导带底的电子束缚态,或能量很接近价带顶的空穴束缚态。
3.
在N型半导体中,导带中电子的浓度小于价带中空穴的浓度。 选项: A、正确 B、错误
4.
当太阳能电池受光照射时,部分电子被激发而产生( ),在结区激发的电子和空穴分别被势垒电场推向N区和P区,使得N区有过量的电子,P区有过量的空穴,PN结两端形成电压,这就是光生伏打效应。选项: A:电子 B:空穴 C:电子-空穴对 D:杂质
5.
对于宽带隙的半导体,激发电子从价带进入导带需要更低的能量。( )选项: A:对 B:错
6.
一种半导体E(k)曲线的导带底曲率大于其价带顶曲率,由此知其电子有效质量________于空穴有效质量,其本征费米能级位于禁带中间偏________。
7.
在电离辐射的照射下SiO2层产生电子-空穴对,在外加偏压作用下 会向 偏移,而在SiO2层中留下 ,因此在 会形成电离陷阱()。选项: A:空穴,正极,电子,负极; B:空穴,负极,电子,正极; C:电子,正极,空穴,负极; D:电子,负极,空穴,正极
8.
简述光生伏特效应中正确的是() 选项: A、用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结; B、p、n区都产生电子—空穴对,产生平衡载流子; C、平衡载流子破坏原来的热平衡; D、非平衡载流子在内建电场作用下,n区空穴向p区扩散,p区电子向n区扩散;若p-n结开路,在结的两边积累电子—空穴对,产生开路电压。
9.
半导体中空穴带正电,电子带负电。
10.
自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。 ( )选项: A:对 B:错
11.
半导体()电子吸收光子能量跃迁入(),产生电子—空穴对的 现象成为本征吸收
12.
半导体中空穴带正电,电子带负电。 选项: A:正确 B:错误
13.
下列关于n型半导体和p型半导体区别描述正确的有( ) 选项: A、n型半导体在施主能级上的自由电子,很容易激发到导带中,产生自由电子导电 B、含有过量金属原子的非化学计量化合物可生成n型半导体 C、p型半导体在受主能级上有空穴存在,很容易接受满带中跃迁的电子,使满带产生正电空穴,并进行空穴导电 D、p型半导体有利于氧的吸附,有利于深度氧化反应,是活泼的氧化催化剂
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