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光子流密度与半导体禁带宽度密切相关,随着禁带减小,光子流密度急剧减小。( )
选项:
A:对
B:错
发布时间:
2024-06-04 19:24:35
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1.
当光子能量低于半导体禁带宽度时,电子仍然可以吸收光子能量从价带跃迁到导带。选项: A:对 B:错
2.
半导体材料中的发光主要是导带和价带之间的跃迁,发射的光子能量等于半导体的禁带宽度。()
3.
宽禁带半导体材料是指禁带宽度在2.0eV及以上的半导体材料。( ) 选项: A、对 B、错
4.
具有光子禁带的周期性电介质结构称为光子晶体。选项: A:正确; B:错误
5.
半导体中费米能级随着温度的升高向禁带中央移动,随着杂质浓度的提高向禁带边沿移动。( )选项: A:对 B:错
6.
如下所述,有关新型半导体器件,表述正确的是:选项: A:集成门极换流晶闸管简称IGCT。; B:金属的禁带宽度比宽禁带半导体材料宽。; C:绝缘体的禁带宽度比宽禁带半导体材料窄。; D:半导体的禁带宽度比金属的禁带宽度窄。
7.
与绝缘体比较,半导体能带结构的特点是选项: A:满带与导带重合; B:禁带宽度较宽; C:禁带宽度较窄; D:以上都是错的
8.
本征吸收的前提是半导体吸收的光子能量大于其禁带宽度。
9.
根据能带理论,绝缘体有满带和空带,且禁带宽度大;半导体有满带和空带,但禁带宽度较窄? 错误正确
10.
下列有关光子晶体的说法,错误的是? 选项: A、按照光子晶体的光子禁带在空间中所存在的维数,可以将其分为一维、二维和三维光子晶体 B、光子晶体最根本的特征是光子禁带 C、光子晶体光纤属于二维光子晶体 D、光纤光栅属于二维光子晶体
11.
以下关于半导体能带特征描述正确的是()选项: A:室温下,硅的禁带宽度约为1.12eV,是直接带隙半导体; B:室温下,锗的禁带宽度约为0.67eV,是直接带隙半导体; C:室温下,砷化镓的禁带宽度约为1.12eV,是直接带隙半导体; D:室温下,硅的禁带宽度约为1.12eV,是间接带隙半导体
12.
中国大学MOOC: 根据能带理论,绝缘体有满带和空带,且禁带宽度大;半导体有满带和空带,但禁带宽度较窄
13.
下列有关光子晶体的说法,错误的是?选项: A:按照光子晶体的光子禁带在空间中所存在的维数,可以将其分为一维、二维和三维光子晶体; B:光子晶体最根本的特征是光子禁带; C:光子晶体光纤属于二维光子晶体; D:光纤光栅属于二维光子晶体
14.
下列有关光子晶体的说法,错误的是?A.按照光子晶体的光子禁带在空间中所存在的维数,可以将其分为一维、二维和三维光子晶体B.光子晶体最根本的特征是光子禁带C.光子晶体光纤属于二维光子晶体D.光纤光栅属于二维光子晶体
15.
随着温度的升高,p型半导体的费米能( ) 选项: A、从导带底部能级向禁带中央变化 B、从导带顶部能级向禁带中央变化 C、从价带顶部能级向禁带中央变化 D、从价带底部能级向禁带中央变化
16.
随着温度的升高,p型半导体的费米能( )。选项: A:从导带底部能级向禁带中央变化; B:从导带顶部能级向禁带中央变化; C:从价带顶部能级向禁带中央变化; D:从价带底部能级向禁带中央变化
17.
对于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,随着平均原子序数的增加( )。选项: A:禁带宽度增大; B:禁带宽度变小; C:最低导带极值从布里渊区中心移向边界; D:最低的导带极值从布里渊区中心不变
18.
电子不能在禁带排布,但是可以越过禁带,从价带跃迁到导带。( )选项: A:对 B:错
19.
较之于硅材料制作的电力电子器件,采用SiC等宽禁带半导体材料制作的电力电子器件具有明显的优势,以下描述哪一项是错误的?选项: A:宽禁带半导体材料的电力电子器件具有比硅器件高得多的耐受高电压的能力; B:宽禁带半导体材料的电力电子器件具有比硅器件更大的过流能力; C:宽禁带半导体材料的电力电子器件具有比硅器件更快的开关速度; D:宽禁带半导体材料的电力电子器件具有比硅器件更低的成本
20.
GaN半导体中通过掺杂其他元素可以调节其禁带宽度大小,其中掺杂()元素形成三元固溶体化合物可以使GaN的禁带宽度减小。 选项: A、Al B、In C、Mg D、Si
21.
下列关于光子带隙型光子晶体光纤特性的论述,错误的是?选项: A:光子带隙型光子晶体光纤易与其他器件耦合,无菲涅尔反射; B:光子带隙型光子晶体光纤具有低弯曲损耗特性; C:光子带隙型光子晶体光纤具有特殊的波导色散; D:光子带隙型光子晶体光纤具有高非线性
22.
n型半导体,随着施主浓度ND的增加,费米能级从禁带中线逐渐移向_____方向。
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