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轻掺杂的N型半导体中本征载流子浓度比重掺杂的N型半导体中本征载流子浓度要低
选项:
A:正确;
B:错误
体中
载流子
掺杂
发布时间:
2024-06-15 20:52:34
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相关试题
1.
轻掺杂N型半导体的本征载流子浓度比重掺杂N型半导体的本征载流子浓度低选项: A:正确; B:错误
2.
杂质半导体中其掺杂浓度远大于本征半导体的载流子浓度。选项: A:正确; B:错误
3.
杂质半导体中少数载流子浓度()。 选项: A、小于本征半导体载流子浓度 B、小于等于本征半导体载流子浓度 C、大于本征半导体载流子浓度 D、等于本征半导体载流子浓度
4.
杂质半导体中的少数载流子浓度大于本征半导体中的载流子浓度。( ) 选项: A:正确 B:错误
5.
N型半导体是在本征半导体中掺杂了 价元素。
6.
杂质半导体中的少数载流子浓度_____本征载流子浓度
7.
关于本征半导体,下列说法哪些是正确的?选项: A:本征半导体的载流子浓度来源于本征激发; B:本征半导体,电子浓度等于空穴浓度; C:本征半导体的载流子浓度与温度无关; D:一定温度下,半导体的禁带宽度越大,本征载流子浓度越小
8.
本征半导体是( )。 选项:掺杂半导体|纯净半导体|P型半导体|N型半导体
9.
杂质半导体中少数载流子的浓度______本征半导体中载流子浓度。 选项: A、大于 B、等于 C、小于
10.
关于半导体的费米能级与本征费米能级的关系,以下说法正确的有() 选项: A、本征半导体的费米能级等于本征费米能级; B、n型半导体的费米能级高于本征费米能级; C、p型半导体的费米能级低于本征费米能级; D、n型或p型半导体,掺杂浓度越大费米能级距离本征费米能级越远;
11.
在常温下基本不导电的是()。 选项: A: 本征半导体 B: 掺杂半导体 C: N型半导体 D: P型半导体 E: 掺杂半导体 F: N型半导体 G: P型半导体 H:A
12.
杂质半导体少数载流子的浓度与本征半导体载流子的浓度一样选项: A:对 B:错
13.
本征半导体中,自由电子浓度________空穴浓度;在P型半导体中,________浓度小于______浓度;在N型半导体中,自由电子浓度________空穴浓度。
14.
非杂质补偿的N型半导体中的载流子,以下说法正确的是选项: A:N型半导体中的电子浓度近似等于施主杂质浓度; B:N型半导体的电子浓度近似等于空穴浓度; C:N型半导体中的电子浓度近似等于受主浓度; D:N型半导体中的空穴浓度近似等于施主浓度
15.
以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是选项: A:纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体。; B:实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的,只要杂质和缺陷在一定限度内,就可看作是本征半导体。; C:本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体。; D:本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体,掺入受主杂质可形成p型半导体。; E:n型半导体依靠导带电子导电。; F:p型半导体依靠价带空穴导电。; G:本征半导体中载流子由本征激发产生。; H:本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度。; I:施主杂质电离可以为半导体提供导电电子。; J:受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴。; K:杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生。; L:杂质半导体中也存在本征激发的过程。
16.
杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( )。选项: A:温度; B:掺杂工艺; C:掺杂浓度; D:掺杂工艺
17.
在本征半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在P型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在N型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度。
18.
【填空题】杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P 型半导体: 在本征半导体中掺入微量的 元素(多子是 ,少子是 )。 *N 型半导体: 在本征半导体中掺入微量的 元素(多子是 ,少子是 )
19.
以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是选项: A:理想情况下,纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体。; B:实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的,只要杂质和缺陷在一定限度内,就可看作是本征半导体。; C:本征半导体中掺入杂质可形成杂质半导体。; D:本征半导体中掺入施主杂质可形成n型半导体,掺入受主杂质可形成p型半导体。; E:n型半导体主要依靠导带电子导电。; F:p型半导体主要依靠价带空穴导电。; G:本征半导体中载流子由本征激发产生。; H:本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度。; I:施主杂质电离可以为半导体提供导电的电子。; J:受主杂质电离可以为半导体提供导电的空穴。; K:一般情况下,杂质半导体中的载流子主要来源于杂质电离。; L:杂质半导体中也存在本征激发的过程。
20.
对于许多涉及氧的反应,氧化物的活性顺序为( )选项: A:p型半导体>本征半导体>n型半导体 B:n型半导体>本征半导体>p型半导体 C:本征半导体>p型半导体>n型半导体 D:本征半导体>n型半导体>p型半导体
21.
在杂质半导体中,多数载流子的浓度与杂质浓度有关,N型半导体中的少数载流子是( )。 选项: A、 自由电子 B、 空穴
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